降低开盒即用半绝缘InP单晶衬底表面残留硅浓度的方法

来源 :第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lene817
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  受抛光过程和环境沾污的影响,InP单晶衬底表面含有过高浓度的残留硅杂质。在外延器件中,硅杂质作为浅施主会在界面处形成n型导电层,增加器件的寄生电容,从而降低了器件运行速率。为进步提高半绝缘InP基器件的性能要求降低其表面的残留硅杂质浓度。通过对半绝缘InP单晶衬底表面清洗和腐蚀过程的研究,提出了一种含有碱性溶液的腐蚀清洗方法。利用飞行时间二次离子质谱(TOF-SI MS)对经过不同表面处理的InP单晶衬底的表面杂质进行了分析,结果表明:经过新的碱性腐蚀方法的处理,衬底表面的残留硅杂质浓度明显降低。
其他文献
人类生命既有其个体一面,又有其群体一面,人生的实践亦须分别言之。从个体一面申说,道德之真在自觉向上,以身从心。而人类群居(社会)生活中的道德,则在务尽伦理情谊(情义),可
城市化建设的脚步越来越快,各项建筑工程建设也在不断的启动和实施,建筑工程建设施工和运营使用过程中都将会直接影响到施工人员和使用人员的生命财产安全,为了能够保证建筑
  In this paper,a CMOS compatible integration strategy for film bulk acoustic wave resonator (FBAR) post-CMOS integration is proposed.By choosing amorphous si
会议
40年前2月的一个黄昏。在台湾省台北市青田街的一所普通宅院,木板房中躺卧着一位老人,身穿一件土布长袍,发际苍白,长须齐胸,脸上泛出的老年斑,使他的面容更显憔悴,体态孤单嶙
建设工程企业的发展是中国经济发展的源源动力之一,为了使建设工程企业能够获得较大的经济效益,推动建设企业的良好发展,对建筑工程进行造价控制是非常重要的,工程造价不仅直
立足于实际对建筑工程管理遇到的难点问题以及处理方案进行研究.首先对目前建筑工程管理过程中遇到的难点问题进行了总结,其次,在根据相关问题提出的背景上,对提高建筑工程管
建筑管理存在多样化以及系统化等特点,要针对建筑工程施工企业的实际发展情况和行业特点等内容进行管理,针对时代发展特点和行业发展趋势等内容不断进行创新,为提升建筑企业
  本文利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同
对于建筑工程项目的建造施工的整个环节,可以说工程项目的施工管理工作是极为关键和重要的,这是整个工程项目的建造施工的质量和安全的一个基础和前提.只有采取切实可行的手
  光电池片输出光电流与入射光强的余弦关系是模拟式太阳敏感器测量的基础,模拟式太阳敏感器是由至少三个光电池片组成的一种太阳敏感器,因功耗小、成本低、结构简单,在微小卫
会议