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[会议论文] 作者：阎大伟,吴卫东,王雪敏,赵妍,
来源：第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会 年份：2012
InP材料具有较大的击穿电压和电子迁移率，而且与其晶格匹配的In0.52A10.48As/In0.53GaO.47As异质结的导带具有较大的不连续性，可更好对二维电子气进行限制。其次，InP基HEMT...
[会议论文] 作者：罗跃川,赵妍,沈昌乐,阎大伟,
来源：第二届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会 年份：2014
系统研究了平面肖特基二极管的制作工艺,对基片制作、欧姆接触、金属阳极制作、表面沟道的制作几个重要步骤做了较多的研究.通过MBE生长了掺杂浓度分别为5×1018cm-3的缓冲层...
[会议论文] 作者：王雪敏,吴卫东,阎大伟,罗跃川,
来源：第二届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会 年份：2014
亚微米尺寸金属电极在HEMT等半导体电子学器件中有重要的应用,是器件制作中的关键工艺，对器件性能有着重要影响.本文针对HEMT等半导体器件制备需求,开发了双层光刻胶电子束曝...
[会议论文] 作者：阎大伟,罗跃川,王雪敏,吴卫东,
来源：第二届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会 年份：2014
亚微米尺寸金属电极在HEMT等半导体电子学器件中有重要的应用,是器件制作中的关键工艺，对器件性能有着重要影响.本文针对HEMT等半导体器件制备需求,开发了双层光刻胶电子束曝光工艺，制备出了长度为亚微米量级的金属电极，这为制备高性能半导体电子学器件打下了坚实......
[会议论文] 作者：赵妍,阎大伟,雷红文,王雪敏,吴卫东,
来源：第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会 年份：2012
肖特基二极管(SBD)是利用金属与半导体之间接触势垒进行工作的一种多数载流子器件，与普通PN结二极管相比，具有正向导通电压低，响应速度快等优良特性。因此SBD在高频整流、开......
[会议论文] 作者：雷红文,王雪敏,赵妍,阎大伟,符亚军,沈昌乐,吴卫东,
来源：第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会 年份：2012
ZnO是具有3.37eV的宽禁带半导体材料，近年来引起了众多研究者的兴趣。Zn1-XCdxO和Zn1-xMgxO很好地实现了对ZnO能带减小和增大的功能。采用较为简单一维K·P势模型结合有效...
[会议论文] 作者：王雪敏,沈昌乐,蒋涛,黎维华,湛治强,邓青华,彭丽萍,王新明,樊龙,阎大伟,赵妍,吴卫东,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
太赫兹(THz)波是指频率从0.1 THz 到10 THz,介于毫米波与红外光之间的电磁波,具有安全性、宽带性、指纹谱特性和穿透性等特点,在国家安全、航空航天、生物医学、材料科学等众多领域都有潜在的重大应用价值.太赫兹量子级联激光器(THz QCL)作为一种紧凑的、相干的......
[会议论文] 作者：王雪敏,沈昌乐,蒋涛,湛治强,黎维华,邓青华,邹蕊矫,彭丽萍,王新明,樊龙,阎大伟,赵妍,吴卫东,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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