搜索筛选:
搜索耗时3.6178秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1,000 篇相符的论文内容
类      型:
[学位论文] 作者:王强, 来源: 年份:2016
碘化亚铜(γ-CuI)作为Ⅰ–Ⅶ族半导体,属于p型宽带隙高电导率的材料,具有闪锌矿晶体类型、独特的光电特性,是优秀的空穴传输材料,在钙钛矿、聚合物、异质结等太阳能电池领域中具有巨大的潜在应用价值,已成为专家学者研究的热点...本文主要讨论了连续提拉法、化学气相沉积法制备CuI薄膜,并探讨了基于CuI薄膜的异质结的光电特性。本文首先利用连续提拉法,以碘化亚铜饱和溶液为前驱液,在ITO透明导电玻璃衬底上制...
[学位论文] 作者:刘劲驰, 来源:华东师范大学 年份:2020
近年来,p型半导体碘化铜(CuI)因为其宽带隙,透光性好以及导电性好的特性在光电探测领域得到了极大的关注。由于CuI的发光主要集中在带边,且缺陷发光的强度低,使得其具备优秀光电材料的潜质。...目前,基于CuI异质结的光伏型器件的波长检测范围大多集中在紫外光波段。...并且,受限于体内较高的载流子浓度,该异质结一般以n-p+结的形式而存在,这导致了CuI一侧的少子扩散长度很低,所以基于CuI异质结的光伏型器件...
[学位论文] 作者:宋娟, 来源:贵州大学 年份:2023
γ-CuI作为一种p型半导体材料,具有0.21m0的空穴有效质量,在光电探测器、太阳能电池及电子器件等领域有广泛应用。考虑到γ-CuI体材料优异的性能,因此对2D CuI结构具备何种性质产生了兴趣。...在材料的制备过程中,会不可避免地使晶体引入各种缺陷,所以本论文对含本征缺陷时2D CuI的光电性质展开了研究。...因掺杂能对材料的物性进行调控,所以本论文还对p型掺杂(N、P以及As)时2D CuI的电子结...
[学位论文] 作者:杨丹凤, 来源:华中科技大学 年份:2016
本文以醇水体系中CuI歧化反应的研究为切入点,对CuI催化丙烯酸甲酯(MA)聚合反应的原子转移自由基聚合(Atom transfer radical polymerization, ATRP)和单电子转移活性自由基聚...
[学位论文] 作者:牛崧任,, 来源:鲁东大学 年份:2020
碘化亚铜(CuI)是一种p型直接宽带隙无机半导体材料,禁带宽度~3.1eV,具有很大的激子束缚能(62meV),较高的载流子浓度和空穴迁移率,而且CuI储量丰富、价格便宜、无毒无污染,在可见光...
[学位论文] 作者:自敏, 来源:济南大学 年份:2015
碘化亚铜(CuI)具有三种主要的晶体结构,其中γ-CuI是一种宽禁带p型半导体材料,禁带宽度为3.1 eV,在可见光范围内透明,且电阻率较低,适合应用于LED和染料敏化电池等光电子器件...
[学位论文] 作者:韩静,, 来源: 年份:2008
本论文研究了以CuI为空穴传输材料的固态染料敏化TiO2纳晶多孔薄膜太阳能电池(TiO2/dye/CuI/Pt)的制备和影响其光电转换性能的因素。采用丝网印刷方法制备了新型含大孔的TiO2纳晶...
[学位论文] 作者:吕娜,, 来源:内蒙古大学 年份:2017
Convection Boundedness Criterion)准则和 TVD(Total Variational Diminishing Constraint)准则,结合Hermite插值,利用经典的CUI...
[学位论文] 作者:吕娜, 来源:内蒙古大学 年份:2017
Convection Boundedness Criterion)准则和TVD(Total VariationalDiminishing Constraint)准则,结合Hermite插值,利用经典的CUI...
[学位论文] 作者:游立,, 来源:贵州大学 年份:2019
近年来,γ-CuI因具有较宽的能带间隙Eg=3.1eV、室温下稳定的p型电导率和高温下快速的离子电导率等特性逐渐引起人们的重视。...而纳米γ-CuI更是表现出优越的性能,尤其在作为光催化剂时,纳米级γ-CuI表现出更高的催化活性。微化学反应技术高传质传热速率、精确控制、无放大效应的特点,使之在纳米材料制备领域备受关注。...
[学位论文] 作者:田慧锋,, 来源:吉林大学 年份:2020
碘化亚铜(CuI)作为无机铜基p型半导体材料,凭借其低成本和易制备等优点,近年来引起了人们的普遍关注。...CuI具有宽的光学直接带隙、高的空穴迁移率和薄膜对可见光透明等优点,因而在钙钛矿太阳能电池、半导体薄膜晶体管和发光二极管等光电子器件的制备与研发领域得到广泛应用。...
[学位论文] 作者:吴海娟, 来源:宁波大学 年份:2023
碘化铜(CuI)材料是一种本征p型宽禁带半导体材料,并且具有空穴迁移率较高、组成元素无毒且储量丰富、可低温制备等优点,在电子/光电子器件中应用潜力巨大。...但由于纯CuI存在易多晶化、本征载流子浓度难以调控等缺点,高性能CuI薄膜及器件的制备成为了主要挑战之一。...
[学位论文] 作者:赵玲燕,, 来源:宁波大学 年份:2012
γ-CuI晶体属于立方晶系,空间群为...
[学位论文] 作者:王钦忠, 来源:北京师范大学 年份:2006
CuI作为一种p-型半导体,具有良好的光学性质和电学性质,其禁带宽度Eg=3.1eV,能吸收λ<400nm范围内的光,所以在光电池中可以用作光阴极。本论文对CuI半导体在水溶液中的基本电化学...
[学位论文] 作者:尤瑞松, 来源:山东大学 年份:2023
宽禁带半导体γ-CuI因其优异的光电性能和本征p型导电性受到了越来越多研究者的重视。但是大多数方法制备的CuI薄膜颗粒较大、薄膜...
[学位论文] 作者:王晖, 来源:青岛科技大学 年份:2013
第二章介绍了SmI3/CuI促进的α-卤代芳酮...
[学位论文] 作者:尹世学, 来源:清华大学 年份:2000
该文系统地研究了冠醚苯并15冠5和冠醚树脂复合离子交换剂对Li同位素的分离性能 .并利用冠醚酚醛树脂柱对三氟乙酸锂中的Li进行了同位素分离研究....
[学位论文] 作者:尹世学, 来源:清华大学 年份:2000
该文系统地研究了冠醚苯并15冠5和冠醚树脂复合离子交换剂对Li同位素的分离性能 .并利用冠醚酚醛树脂柱对三氟乙酸锂中的Li进行了同位素分离研究....
[学位论文] 作者:虞海燕, 来源:成都理工大学 年份:2007
采用等温蒸发法研究了五元体系Li,Na//CO,SO,BO-HO及其四元子体系Li,Na//CO-BO-HO,Li,Na//CO,SOO-HO与Li,Na,K//SO-HO的273K介稳相平衡,测定它们在...
[学位论文] 作者:Tyler Bonnet, 来源:华东师范大学 年份:2023
This thesis examines individualism and genuineness in the philosophy of the late Ming dynasty writer Li...Zhi李贽(1527-1602).It analyzes the application of the title of“individualism”to Li Zhi’s thought a...
相关搜索: