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[学位论文] 作者：孙梦,
来源：东南大学 年份：2021
类脑计算的硬件实现称为神经形态系统,神经形态系统由神经突触电路和神经元电路组成,而忆阻器的电阻可变性与非易失性,与神经形态系统中的神经突触电路功能完美契合。...但是,忆阻器实现类脑计算还存在着以下几个问题:现有的忆阻器模型在大规模阵列SPICE仿真时仿真结...
[学位论文] 作者：庄振富,
来源：中国艺术研究院 年份：2021
《陶庵梦忆》是晚明文人张岱的小品文集,记录了张岱前半生的繁华靡丽。而构筑其繁华靡丽之前半生的,恰是张岱多趣的艺术生活。...
[学位论文] 作者：刘梦,,
来源：华东交通大学 年份：2021
作为中国古代小说的经典之作,《红楼梦》的文学地位和研究价值为众多学者所肯定,学界相关的研究成果已十分丰富。但《红楼梦》拥有极为丰富的意蕴,仍有较大的研究空间。...本文以《红楼梦》听觉叙事的功能为分析对象,从文本入手,以听觉叙事的相关理论为工具,从情节构建功能、人物塑造功能、主题强化功能三个方面重听《红楼梦》这部经典。...
[学位论文] 作者：谷文玉,
来源：杭州电子科技大学 年份：2021
Chua在上世纪70年代初提出了忆阻器的概念,但是由于缺乏实验难以证明忆阻器的存在。直到2008年HP实验室宣布制备出了Ti O2忆阻器才引起国内外的广泛关注。...忆阻器是一种记忆性的非线性电阻,在非易失存储器、混沌振荡、人工神经网络和数字逻辑运算等方面有着非常重要的潜在应用。...在忆阻器基础上Chua提出了局部有源忆阻器理论,指出局部有源器件是放大微弱波动信号和维持系统振荡必不可少的元件,局部有源是复杂...
[学位论文] 作者：周健博,
来源：东北电力大学 年份：2021
忆阻混沌电路更易出现复杂的动力学行为,对通信等领域而言信号越复杂对保密通信越有利,因此对忆阻混沌电路系统的控制问题的研究有巨大的价值。...本文以混沌记忆系统、三阶忆阻BPF混沌电路系统、基于有源BPF的忆阻蔡氏电路系统及四阶忆阻电...
[学位论文] 作者：梁佳冰,
来源：东北师范大学 年份：2021
忆阻器的电阻能够被外加电学信号调控,具有器件结构简单、运行速度快、擦写功耗低等优势,在信息存储、逻辑运算、突触仿生等领域展示出应用潜力。相比于电信号,光信号具有带宽高、速度快、无串扰等优势。...近年来,将光信号作为忆阻器电阻调制的手段,发展光电耦合忆阻功能受到研究人员的广泛关注,例如光电逻辑运算、人脑视觉仿生、模拟光遗传学等。...在各种光电忆阻材料中,氧化石墨烯（GO）具有独特的光电特性,其内部氧离子迁移...
[学位论文] 作者：付晓静,
来源：东北师范大学 年份：2021
忆阻器作为第四个基本无源电子元件引起了广泛关注,其结构简单、便于集成等优势在非易失性存储和突触仿生模拟等领域有很大的应用潜力,根据阻变特性可以将忆阻器分为数字型忆阻器和模拟型忆阻器。...其中,数字型忆阻器主要应用于非易失性信息存储;而模拟型忆阻器的非线性传输特性与生物突触高度相似,是搭建类脑神经网络的最佳候选者。...根据对忆阻器的深入研究,多种转变机制被提出和验证,其中基于银离子迁移的导电细丝机制在不同材...
[学位论文] 作者：宋依萱,,
来源：山东科技大学 年份：2021
忆阻器作为第四种基本电路元件,其本质上是一个具有记忆特性的非线性电阻。自从2008年惠普实验室首次制备出TiO2实物忆阻器后,有关忆阻器的研究受到学术界的广泛关注。...但目前忆阻器还没有实现商业化,这对忆阻器的研究产生了极大阻碍。...因此,本文的研究意义是根据忆阻器的电学特性,构建新的忆阻器数学模型及电路仿真器,利用所构建的忆阻器数学模型设计忆阻混沌电路,挖掘并分析忆阻器的特性和忆阻混沌电路的复杂动力学行...
[学位论文] 作者：王永甲,
来源：武汉大学 年份：2021
忆阻器是一种特征尺寸小、集成度高、读写功耗低和状态非易失的新型双端无源器件,其独特的电学特性使得它非常适合实现人工神经网络中的突触;而且忆阻器可以大规模集成,其存算一体的独特优势有望打破冯诺依曼瓶颈,为人工神经网络提供新一代的硬件计算平台...针对这一背景,聚焦于基于忆阻器阵列的神经网络设计和研究,实现了忆阻器MLP网络和忆阻器BNN两种网络,均采用异位训练的方式搭建。主要工作和创新点归纳如下:针对忆...
[学位论文] 作者：张雪,,
来源：杭州电子科技大学 年份：2021
忆阻器是具有记忆特性的无源非线性元件,与电阻、电容、电感并称为四种基本电路元件。...忆阻器自提出至今已接近半个世纪,与其有关的研究主要集中在二值及连续型忆阻器两个方面,但相较于这两种忆阻器,三值及多值忆阻器具有携带信息多、特性丰富等优点,其在逻辑电路、混沌电路等领域也有着巨大的应用潜力...因此,研究三值忆阻器的等效模型、电路特性及其在各领域的应用具有重要意义。已有的应用研究表明,忆阻器的串、并联能够使其...
[学位论文] 作者：王振,,
来源：山东科技大学 年份：2021
忆阻器作为第四种电子元件,在1971年被预测并于2008年被HP公司顺利制造出来。...由于忆阻器是具有纳米级尺度的电子器件,器件具有无需供电即可存储信息的优点,这决定着这一器件在众多前沿应用中具有潜在的应用空间,而且忆阻电路易于设计且具有复杂的非线性行为,在计算存储、神经计算等领域也具有巨大的应用潜力...,所以研究基于忆阻的非线性系统非常有意义。...忆阻器为研究混沌系统开创了新局面。忆阻混沌是指基于忆阻器的混...
[学位论文] 作者：薛友宝,,
来源：山东科技大学 年份：2021
自蔡少棠教授于1971年预测了忆阻器的存在以来,由于没有物理器件作为支撑,忆阻器并没有引起人们的注意。...直到2008年惠普实验室团队在《自然》杂志上首次报道实物忆阻器的存在,由于它在很多领域的潜在应用,如非易失性存储器、神经形态计算以及忆阻器混沌电路等,忆阻器开始引起全世界人们的广泛关注。...忆阻器具有非线性的特性,它的出现为混沌电路或混沌系统的设计开启了一个崭新的大门。基于忆阻器的混沌电路的动力学行为...
[学位论文] 作者：张蒙,
来源：东华大学 年份：2021
忆阻器因其阻值连续可调、纳米级尺寸以及类生物突触优势成为人工突触首选器件。习惯化和联想记忆是生物基本学习方式,基于忆阻器构建电路模拟习惯化和联想记忆特性是实现忆阻神经形态系统的必经之路。...改进忆阻器数学模型,提高其与实测特性契合度,可为指导其设计制造工艺以提高其仿生突触性能提供参考。...本文选择具有阈值特性和遗忘特性的氧化钨忆阻器代替常见HP忆阻器作为突触,构建神经形态电路,模拟生物学习行为和突触传递的...
[学位论文] 作者：王君兰,
来源：杭州电子科技大学 年份：2021
忆阻器是一种具有记忆特性的非线性电阻,在新一代非易失存储器、非线性电路、人工神经网络和逻辑运算等领域有着重要的潜在应用。2005年Chua提出局部有源是复杂性的起源,之后又提出局部有源忆阻器的概念。...忆阻器可分为局部无源忆阻器和局部有源忆阻器,局部无源忆阻器可以模拟突触特性,局部有源忆阻器可以模拟神经元的功能。...
[学位论文] 作者：杨艳凤,
来源：湖南理工学院 年份：2021
忆阻器被提出以来,国内外的研究者就对它进行了广泛的研究。...忆阻器具有记忆性、非线性、非易失性等特点,为研究神经网络、非线性电路和系统、数字电路等领域提供了新的方案和思路,对设计新的忆阻混沌系统有重要意义。...忆阻混沌系统可产生良好的伪随机性的混沌信号,可用于图像加密、保密通信等工程领域中。因此,设计具有复杂动力学行为和非线性现象的忆阻混沌系统有很大意义和实用价值。在此背景下,本学位论文重点研究基于忆阻器...
[学位论文] 作者：张悦,
来源：中国艺术研究院 年份：2021
晚清民国时期是中国学术思想史上惊心动魄的风云变革时期,谢无量先生是历经晚清民国时期的重要学者,他独特的人生经历和远大的理想抱负使其义无反顾地投身于二十世纪初的时代变革之中,并发挥了不可忽视的历史作用。...本文旨在通过研究谢氏的生平经历和学术著作来分析谢氏学术思想的内涵,以陈寅恪先生“了解之同情”的眼光还原真实生动的谢无量本人。本文首先梳理了谢氏的生平经历,随后结合谢氏的生平经历和学术著作,归纳出谢氏学...
[学位论文] 作者：杨文燕,,
来源：山东科技大学 年份：2021
忆阻器是一种非线性电阻,它能记住流过它的电荷量,并通过控制电流的变化来改变它的电阻,它的记忆特性不能由其它三个电路元件的任何组合实现。...由于忆阻器的特殊特性,它可以用来构造混沌电路,并且由于忆阻器天然的非线性特性,基于忆阻器的混沌电路容易产生丰富的动力学行为。...目前,大部分混沌电路研究没有把实物忆阻器作为一个真正的电路元件应用到电路中,绝大多数基于忆阻的混沌电路研究主要是利用“模拟忆阻器”实现的,与实...
[学位论文] 作者：周如霞,
来源：天津工业大学 年份：2021
忆阻器（Memristor）的提出为细胞神经网络（Cellular Neural Network,CNN）的研究提出了一个新方向。...CNN系统能够实现复杂的混沌动力学行为,忆阻器作为非线性电阻具有特殊的记忆能力,所以可以利用忆阻器构造忆阻CNN系统,来提高CNN系统的混沌特性。...本文分别从物理可实现性和提高系统混沌度两个方面对忆阻器和CNN做了如下研究工作:通常具有光滑连续特性的器件具有更好的物理可实...
[学位论文] 作者：宋平,
来源：黑龙江大学 年份：2021
由于闪存存储器逐渐到达物理极限,忆阻器作为其优秀的替代品被提出。随着忆阻器单元被不断研究,可以进一步实际应用。...但分立的忆阻器单元无法实现存储等功能,需要进行忆阻器集成化制作,因此本文设计并制作了ZnO集成化忆阻器。通过总结国内外文献,本文阐述了ZnO忆阻器的阻变机理与导电机制。...采用磁控溅射法和掩膜工艺制备了ZnO忆阻器单元,对ZnO薄膜进行材料表征,并研究Li掺杂、阻变层厚度、退火温度和环境温度对...
[学位论文] 作者：朱梦可,
来源：朱梦可 年份：2021
铁人三项运动自20世纪80年代传入中国,近年来我国铁人三项优秀运动员邢琳、仲梦颖等人脱颖而出,但总体竞技水平还未达到国际一流水准。...
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