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[期刊论文] 作者：顾溢,,
来源：热力发电 年份：2011
华能上海石洞口第二电厂超超临界660 MW机组给水泵汽轮机(小机)为ND(Z)84/79/07型变转速凝汽式汽轮机,采用弹簧基座,可满足主机在各种工况运行时对给水的要求。总结了小机的...
[期刊论文] 作者：顾溢,,
来源：热力发电 年份：2011
介绍了华能上海石洞口第二电厂超超临界660 MW机组汽轮机的特点和性能优势,并对发电机转子、轴封蒸汽温度、补汽阀、高压缸效率等存在的问题提出了优化建议。...
[期刊论文] 作者：顾溢暄,
来源：东方少年·阅读与作文 年份：2019
“圆圆糯糯香满屋，正月十五人人爱。”你们知道这是什么吗？哈哈，对啦！是元宵。今天学校就举办了搓元宵活动。 下午，我们早早地铺好了桌布，把盆盆罐罐摆好，等待着志愿者赵奶奶教我们。赵奶奶开始和面了，她的双手比和面机还灵活。面团被她一会儿揉，一会儿压，时而圆，时而扁......
[期刊论文] 作者：田招兵,顾溢,张永刚,
来源：红外与毫米波学报 年份：2008
建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型．通过引入收集效率函数，模拟计算了探测器量子效率和光响应．采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典...
[期刊论文] 作者：田招兵,顾溢,张永刚,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2008
建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况...
[期刊论文] 作者：田招兵,张永刚,李爱珍,顾溢,,
来源：半导体光电 年份：2006
采用气态源分子束外延（GSMBE）生长技术结合常规半导体工艺制成了正进光台面型8元In0．53Ga0．47As／InP光伏探测器阵列，并对其特性进行了测量，结果表明GSMBE生长的材料具有很好的均匀性......
[期刊论文] 作者：田招兵,张永刚,李爱珍,顾溢,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
采用了H3PO4／H2O2系化学腐蚀液对GSMBE外延的InGaAs／InP和InAlAs／InP材料湿法腐蚀特性进行了研究，研究了不同浓度和配比对于腐蚀速率和形貌影响。结果表明该腐蚀液体系具有良好的...
[期刊论文] 作者：田招兵,顾溢,张晓钧,张永刚,,
来源：半导体光电 年份：2008
通过建立双异质结型InGaAs探测器光响应的理论模型,分别对正面和背面进光时InP基波长扩展In0.8Ga0.2As/In0.79Al0.21AsPIN探测器结构参数与光响应特性的关系进行了研究,模拟...
[期刊论文] 作者：郝国强,张永刚,顾溢,李爱珍,朱诚,
来源：红外与毫米波学报 年份：2006
从理论与实验两方面对截止波长为1．7μm（x=0．53），1．9μm（x=0．6）和2．2μm（x=0．7）pin InxGa1-xAs探测器性能进行了研究．对探测器暗电流的研究结果表明，扩展波长In0.6Ga0.4As，In0.7Ga0.3As探测器......
[期刊论文] 作者：顾溢,王凯,李耀耀,李成,张永刚,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
The structural and optical characteristics of InP-based compressively strained InGaAs quantum wells have been significantly improved by using gas source molecul...
[期刊论文] 作者：郝国强,张永刚,顾溢,李爱珍,朱诚,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2006
从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)p in InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,I...
[期刊论文] 作者：郝国强,张永刚,顾溢,刘天东,李爱珍,
来源：功能材料与器件学报 年份：2005
从理论和实验上分析了双异质结In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同的反向偏置电压下暗电流在甚宽温度范围内的温度特性。结果表明:在反向偏置低压与高压段,产生-复合电流与隧...
[期刊论文] 作者：田招兵,张永刚,顾溢,祝向荣,郑燕兰,,
来源：半导体光电 年份：2008
通过对气态源分子柬外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs／InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较，研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均...
[期刊论文] 作者：顾溢,王凯,李成,方祥,曹远迎,张永刚,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2011
利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光...
[期刊论文] 作者：金宇航,黄卫国,张见,王红真,顾溢,贺训军,
来源：红外 年份：2020
短波红外铟镓砷(InGaAs)探测器材料的表面缺陷是发展大规模小像元焦平面阵列的核心问题之一,其中与衬底晶格失配的延伸波长探测器材料的表面缺陷控制起来尤为困难。优化了分...
[期刊论文] 作者：郑文龙,张亚光,顾溢,李宝宝,陈泽中,陈平平,
来源：红外与毫米波学报 年份：2019
研究了全固态源分子束外延(MBE)生长InGaAs/InP异质结界面扩散对InGaAs外延薄膜电学和光学性质的影响.通过X射线衍射、变温霍尔测试和变温光致发光等方法对InGaAs薄膜样品进...
[期刊论文] 作者：顾溢,王凯,李成,方祥,曹远迎,张永刚,
来源：红外与毫米波学报 年份：2004
利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光...
[期刊论文] 作者：张永刚,顾溢,朱诚,郝国强,李爱珍,刘天东,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2006
采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层，研制了波长扩展的InGaAs／InP光伏探测器系列，其室温下的截止波长分别约为1．9μm，2，2μm．和2．5μm．对......
[期刊论文] 作者：张永刚, 顾溢, 王凯, 李成, 李爱珍, 郑燕兰,,
来源：红外与激光工程 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：李雅飞,李晓良,马英杰,陈洁珺,徐飞,顾溢,
来源：半导体光电 年份：2018
采用AZ1500光刻胶作为掩模对GaAs和InP进行ICP刻蚀, 研究了刻蚀参数对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响。结果表明, 光刻胶的碳化变性与等离子体的轰击相关, 压强、ICP功率和RF功率的增加以及Cl2比例的减小都会加速光刻胶的碳化变性, Cl2/Ar比Cl2/BCl3更易使光刻......
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