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[期刊论文] 作者：关庆捷,孙秀珍,刘璟,,
来源：大连医科大学学报 年份：2010
[目的]探讨眼震电图（electronystagmography,ENG）及铺放海绵垫的静态姿势描记（static posturography,SPG）两种前庭功能检查在中老年眩晕者诊断中的意义。...[方法]应用ENG与SPG对96...
[期刊论文] 作者：屈媛,班士良,,
来源：内蒙古大学学报(自然科学版) 年份：2010
基于介电连续模型和Loudon单轴模型，采用转移矩阵法讨论纤锌矿AlN／GaN／InN／GaN／AlN量子阱的界面和局域光学声子模．结果表明在GaN阱区引入InN纳米凹槽使纤锌矿AIN／GaN／AlN量子阱的光学...
[期刊论文] 作者：,
来源：Chinese Journal of Integrative Medicine 年份：2010
Prof.YIN Hui-jin,Ph.D., male, was born on March 26, 1971 in Ningxia.He graduated from Ningxia Medical...
Improved breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs grown on Si substrates using partially Mg-doped GaN bu
[期刊论文] 作者：LAU KeiMay,,
来源：Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 年份：2010
AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) were grown on Si substrates by MOCVD.In the HEMT...structure,a 1 μm GaN buffer layer was partially doped with...
[期刊论文] 作者：Eng-Hui Gan,Kel-Vin Chin,Syed,
来源：国际眼科杂志 年份：2010
患者,女,农民,59岁,左眼被名为Scotinophara菌的黑色谷物昆虫蜇伤后疼痛肿胀1wk,表现为急性进行性视物模糊.左眼检查发现有明显的眼球突出、眶周肿胀和上睑下垂,眼球各个方向...
[期刊论文] 作者：介伟伟,杨春,,
来源：四川师范大学学报(自然科学版) 年份：2010
用基于密度泛函理论平面波超软赝势法对六方GaN空位型本征点缺陷进行了理论研究.计算了GaN、Ga0.875N,Ga0.750N,GaN0.875和GaN0.750等5种模型（Ga和N不同比例情况下的空位型...GaN...
[会议论文] 作者：ANFeng;WANGXiao-ning;LIANGJian;ZHAOJun-fu;MAShu-fang;XUBing-she;,
来源：2010中国材料研讨会 年份：2010
III-V group GaN based materials as the third generation of semiconductors have important application...GaN epit...
[学位论文] 作者：杨铭,,
来源：南京理工大学 年份：2010
一直以来,GaN基半导体材料生长技术的不完善,极大制约了基于NEA GaN光电阴极的发展,然而随着近年来材料生长技术的突破,对NEA GaN光电阴极的研究成为了当前的热点。NEA GaN光...
[会议论文] 作者：张蕾,邢怀中,张会媛,
来源：第十五届全国凝聚态光学性质学术会议(OPCM'2010) 年份：2010
利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭,仅为...
[期刊论文] 作者：陈慧芳,王显泰,陈晓娟,罗卫军,刘新宇,,
来源：半导体学报 年份：2010
A high power X-band hybrid microwave integrated voltage controlled oscillator(VCO) based on Al-GaN /GaN...
[期刊论文] 作者：,
来源：中国科学:技术科学 年份：2010
We studied the impact of the thickness of GaN buffer layer on the properties of distributed Bragg reflector...
[学位论文] 作者：胡毅庆,
来源：北京大学 年份：2010
宽禁带半导体GaN基电子器件在微波大功率方面具有极其优异的性能,近年来成为国内外的研究热点。虽然近年来GaN基电子器件的研究取得了快速发展,但在该研究领域依然存在诸多基...
[会议论文] 作者：胡晓龙,张江勇,张保平,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议 年份：2010
采用金属有机物化学气相沉积(MOVCD)技术制备了不同GaN垒层厚度的InGaN单量子阱。...低温PL测量发现，随着GaN垒层厚度的增加，InGaN量子阱的发光峰位发生了明显的红移；同时，激子与纵光学声子间的耦合强度也逐渐增强。...进一步分析表明，以上现象主要源于GaN垒层厚度变化引起的量子阱中应力的改变。...
[期刊论文] 作者：张志国,秘瑕,王民娟,李静强,宋建博,崔玉兴,冯志红,付兴昌,蔡树军,,
来源：半导体技术 年份：2010
使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT器件,建立了大信号模型,利用ADS软件建立了GaN MMIC的拓扑,仿真了驱动比对电路性能的影响。仿真结果表明,...
[期刊论文] 作者：,
来源：中国结合医学杂志（英文版） 年份：2010
Prof.YIN Hui-jin,Ph.D.,male,was born on March 26,1971 in Ningxia.He graduated from Ningxia Medical College...
[会议论文] 作者：李弋洋,李成基,曾一平,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
建立了高阻GaN薄膜材料的电学性质测量装置。开展了高阻GaN薄膜材料的欧姆接触制作与检测技术的研究工作。进行了高阻GaN薄膜材料的薄层电阻、高温变温霍尔及光霍尔等测量工...
[期刊论文] 作者：,
来源：中国科学:技术科学 年份：2010
We studied the impact of the thickness of GaN buffer layer on the properties of distributed Bragg reflector...
[会议论文] 作者：张志国;王民娟;崔玉兴;马杰;李静强;宋建博;冯志红;付兴昌;蔡树军;,
来源：2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议 年份：2010
本文使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT和GaN MMIC。研制的小栅宽器件在频率为8GHz时效率达到60％，利用该器件采用高工作电压，多偏置点提取器件...
[期刊论文] 作者：陈炽,郝跃,杨凌,全思,马晓华,张进城,,
来源：半导体学报 年份：2010
I-V output,small signal and an extensive large signal characterization(load-pull measurements) of a GaN...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,三菱电机信息技术综合研究所和高频光器件制作所合作制作了X波段GaN HEMTT/R开关。GaN HEMT IC尺寸为1.3 mm×1.7 mm。...GaN HEMT的耐...
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