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建立了高阻GaN薄膜材料的电学性质测量装置。开展了高阻GaN薄膜材料的欧姆接触制作与检测技术的研究工作。进行了高阻GaN薄膜材料的薄层电阻、高温变温霍尔及光霍尔等测量工作。可以测出高达1015欧姆的方块电阻。高温变温霍尔测量表明高阻GaN在高温工作时的导电性质是由1.04ev深施主能级决定的。
高阻GaN薄膜的准霍尔测量技术
【摘 要】
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建立了高阻GaN薄膜材料的电学性质测量装置。开展了高阻GaN薄膜材料的欧姆接触制作与检测技术的研究工作。进行了高阻GaN薄膜材料的薄层电阻、高温变温霍尔及光霍尔等测量工
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所,北京 100083
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
：
2010年期
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