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[期刊论文] 作者：Liu Zhe,Wang Xiao-Liang,Wang Jun-Xi,Hu Guo-Xin,Guo Lun-Chun,Li Jin-Min,
来源：中国物理（英文版） 年份：2007
AIN/GaN superlattice buffer is inserted between GaN epitaxial layer and Si substrate before epitaxial...growth of GaN layer....High-quality and crack-free GaN epita...
[期刊论文] 作者：吉云兰,,
来源：小学教学参考 年份：2007
教学目标1.准确认读后鼻韵母ang、eng、ing、ong及其四声。2．准确认读整体认读音节ying的四声。3.正确书写ang、eng、ing、ong。...
[期刊论文] 作者：Diana Freundl,,
来源：大美术 年份：2007
All images courtesy of the artists■Loretta Yang Hui-shan (杨惠姗) and Chang Yi (张毅) are inseparable.They...
[学位论文] 作者：陆珏,,
来源： 年份：2007
宽禁带半导体GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等特点,在高温以及微波功率器件制造领域具有极大的潜力。其中,A1GaN／GaN HEMT器件在微波大功率和...
[期刊论文] 作者：金旭,
来源：广播与电视技术 年份：2007
随着高清技术的不断深入,高清ENG摄像机功能不断细化。对于不同HDENG摄像机的功能,是否全部可行而且适合操作,画面是否得到改善,新功能对于使用人员带来怎样的便利等等,文章...
[学位论文] 作者：赵德胜,,
来源：长春理工大学 年份：2007
随着GaN基半导体材料的发展，GaN基器件获得越来越广泛的应用。然而，在其器件制作工艺中依然存在许多亟待解决的问题。本文针对p-GaN欧姆接触进行了研究，主要包括以下内容： 1．研...
[学位论文] 作者：徐波,,
来源：中国科学技术大学 年份：2007
GaN作为一种宽禁带半导体一直是人们研究的热点。目前人们对GaN体材料和薄膜的研究已经相当广泛。然而对于一维GaN纳米材料，特别是单晶GaN纳米管的研究还处于初级阶段：主要工作...
[会议论文] 作者：尹甲运,刘波,袁凤坡,梁栋,冯志宏,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
采用MOCVD设备在Si(111)衬底上分别生长了三个不同结构的样品:样品a直接生长1μm厚的GaN;样品b在1.2μm厚GaN中插入一AlN薄层;样品c在2μm厚GaN中间隔插入两AlN薄层,然后对样品进行了拉曼和光荧光测试分析...结果表明,随着插入层数的增加,GaN材料的E-high峰位逐渐接近体GaN材料的E-high峰位(无应力体GaN材料的E-high峰位为568cm),即GaN材料的应力...
[期刊论文] 作者：张世铭,王喆,尹酉,,
来源：科技咨询导报 年份：2007
GAN(Generic Access Network)是一种使用ISM频段(Industrial,Scientfic,Medical)的无线接入网。...本文介绍了GAN的基本原理,分析了其安全机制和安全技术,并在此基础上讨论了GAN...
[期刊论文] 作者：张世铭,主喆,尹酉,
来源：科技咨询导报 年份：2007
GAN（Generic Access Network）是一种使用ISM频段（Industrial，Scientfic，Medical）的无线接入网。...本文介绍了GAN的基夺原理，分析了其安全机制和安全技术，并在此基础上讨论了GAN的安全问...
[期刊论文] 作者：贺博,武骏,,
来源：电信网技术 年份：2007
介绍了GAN的基本概念、产生的背景、GAN的技术和标准，以及在GAN测试中面临众多新的挑战，为固定移动融合的发展提供了新的概念和新的商业模式。...
[学位论文] 作者：卫静婷,
来源：深圳大学 年份：2007
GaN材料及器件近年来成为研究的热点，尤其是GaN基发光二极管(LED)。究其原因，主要是因为GaN蓝绿光LED产品的出现从根本上解决了白光发光二极管三基色的缺色问题。而且LED是节能...
[期刊论文] 作者：,
来源：科技信息(学术研究) 年份：2007
Using Density Function Theory,the present work has optimized the equilibrium geometry of GaN....Murrell-Sorbie analytical potential energy functions of GaN have b...
[期刊论文] 作者：周春红,,
来源：南通大学学报(自然科学版) 年份：2007
基于A1GaN／GaN异质结的高电子迁移率晶体管（HEMT）在高温、高功率微波器件方面有极其重要的应用前景．文章用自洽一耦合蒙特卡罗（MonteCarlo）方法对A1GaN／GaN异质结构场效应晶体管作了...
[会议论文] 作者：ZheChuanFeng;Li-ChiCheng;Che-ChenChang;,
来源：Fifth International Conference on Surface Engineering(第五届表面工 年份：2007
GaN is one of the main materials for the blue green light-emitting optoelectronic and other electronic...devices.GaN-based Light Emitting Diodes (LEDs) are no...
[期刊论文] 作者：,
来源：Optoelectronics Letters 年份：2007
InGaN/GaN MQWs structures were grown by MOCVD....The effects of the growth interruption time on the optical and structural properties of InGaN/GaN MQWs...
[期刊论文] 作者：,
来源：Journal of Materials Science & Technology 年份：2007
The preparation of porous structure on the molecular beam epitaxy (MBE)-grown mixed-polarity GaN epilayers...
[期刊论文] 作者：李述体,范广涵,周天明,孙慧卿,郑树文,,
来源：华南师范大学学报(自然科学版) 年份：2007
采用MOCVD生长技术以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究.用霍尔测量技术、光致发光技术以及光学显微镜测量了GaN的电学性能、光学性能以及表面形貌.研究表明,GaN低温缓冲层生长...
[期刊论文] 作者：肖洪地,马洪磊,刘蓉,马瑾,林兆军,
来源：第六届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2007
采用磁控溅射法在Si(111)衬底上直接淀积GaN薄膜。通过X射线衍射谱(XRD)、X光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)研究GaN薄膜由非晶态向多晶态的转化过程。...实验结果表明：(1)在900℃氮气气氛中退火,非晶态GaN保持不变；(2)在900℃氨气气氛中退火,虽然非晶态GaN转化为多晶态GaN,但却出现中间相金属Ga；(3)在非晶态GaN向多晶态GaN转化过程中...,GaN晶粒将逐渐增大...
[期刊论文] 作者：乔建良,常本康,高有堂,田思,
来源：红外技术 年份：2007
近年来,随着晶体生长技术的发展,GaN基材料的生长技术与生长工艺取得了重大突破。基于NEA的GaN紫外光电阴极是非常理想的新型紫外光电阴极。本文重点探讨了NEA GaN光电阴极材...
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