【摘 要】
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近年来,随着晶体生长技术的发展,GaN基材料的生长技术与生长工艺取得了重大突破。基于NEA的GaN紫外光电阴极是非常理想的新型紫外光电阴极。本文重点探讨了NEA GaN光电阴极材
【机 构】
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南京理工大学电子工程与光电技术学院,南阳理工学院电子与电气工程系
【基金项目】
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教育部高等学校博士点基金（编号：20050288010）资助课题
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近年来,随着晶体生长技术的发展,GaN基材料的生长技术与生长工艺取得了重大突破。基于NEA的GaN紫外光电阴极是非常理想的新型紫外光电阴极。本文重点探讨了NEA GaN光电阴极材料的金属有机化学汽相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）和卤化物汽相外延（HVPE）等主流生长技术的优缺点,介绍了两步生长、横向外延生长及悬空外延技术等新工艺。讨论了GaN光电阴极的性能特点、制备方法以及在紫外光电探测器和电子束平版印刷术领域的应用状况。
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