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[学位论文] 作者：赵有文,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2001
该项工作研究了高温退火非掺杂液封直拉磷化铟单昌制备标准2英寸和3英寸直径半绝缘材料的工艺及材料的物理性质.通过930℃,80小时的退火处理,非掺磷化铟单晶片转变成电阻率为...
[期刊论文] 作者：赵有文,,
来源：中国草地 年份：1991
我国第一个荒漠戈壁草地类自然保护区—安西荒漠戈壁草地自然保护区于1990年9月7日通过阶段验收。安西荒漠戈壁草地自然保护区自1987年建立以来,分年度完成了80万公顷保护区...
[期刊论文] 作者：赵有文,陈旭东,
来源：半导体情报 年份：1995
通过对产生孪晶的工艺条件的研究比较，分析了ＬＥＣ－ＩｎＰ晶体中产生孪晶的原因。实验证明，建立一个稳定合适的热场、保持Ｂ２Ｏ３的透明度、控制好掺杂量等是减少孪晶的必要条件。......
[期刊论文] 作者：董宏伟,赵有文,等,
来源：半导体学报 年份：2002
对高温退火非掺磷化铟（InP）制备的半绝缘晶片的电学性制质和均匀性进行了研究。非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行930℃、80h退火均可获得半绝缘材料，但这......
[期刊论文] 作者：赵有文,刘思林,
来源：半导体情报 年份：1993
介绍了在高压单晶炉内每次直接合成1000g InP的新工艺。对合成的InP进行测试表明,非掺杂InP的载流子浓度一般为3～6×10~(15)cm~(-3),迁移率4200cm~2/V.s以上,最高可达4700...
[期刊论文] 作者：赵有文,罗以琳,等,
来源：半导体学报 年份：2002
利用变温霍尔和电流-电压特性（I-V）两种方法分别对半导体和半绝缘的退火非掺磷化铟材料进行了测量，在非掺退火后的半导体磷化铟样品中可以测到缺陷带电导，这与自由电子浓度较低、......
[期刊论文] 作者：赵有文,孙聂枫,等,
来源：半导体学报 年份：2002
用辉光放电质谱（GDMS）测量了原生液封直接（LEC）磷化铟（InP）的杂质含量。利用霍尔效应测到的非掺LEC－InP的自由电子浓度明显高于净施主杂质的浓度。在非掺和掺铁InP中都可以用红外吸......
[期刊论文] 作者：赵有文,罗以琳,等,
来源：半导体学报 年份：2002
利用霍尔效应，电流－电压（I－V），光致发光谱（PL）和光电流谱（PC）研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质，半绝缘InP的I－V特性明显地依赖于掺铁的浓度，掺铁的浓度也对半绝缘InP的光学性质和材料......
[期刊论文] 作者：赵有文,孙聂枫,等,
来源：半导体学报 年份：2002
对液封直拉（LEC）非掺磷化铟（InP）进行930℃80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘（SI）衬底。退火是在密封的石英管内纯磷（PP）或磷化铁（IP）两种气氛下进行的。测试结果表明IP-SI In......
[期刊论文] 作者：赵有文,陈旭东,孙同年,刘思林,杨光耀,
来源：半导体情报 年份：1995
通过对产生孪晶的工艺条件的研究比较，分析了ＬＥＣ－ＩｎＰ晶体中产生孪晶的原因。实验证明，建立一个稳定合适的热场、保持Ｂ＿２Ｏ＿３的透明度、控制好掺杂量等是减少孪晶的必要条件。Through the co......
[期刊论文] 作者：赵有文,罗以琳,冯汉源,C.D.Beling,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2002
利用霍尔效应、电流 电压 (I V)、光致发光谱 (PL)和光电流谱 (PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质 .半绝缘InP的I V特性明显地依赖于掺铁的浓度 .掺铁的浓度也对半绝缘...
[期刊论文] 作者：孙聂枫, 陈旭东, 赵有文, 杨光耀, 刘思林, 孙同年,,
来源：半导体情报 年份：1998
回顾了磷化铟（ＩｎＰ）晶体材料的发展过程，介绍了磷化铟材料的多种用途和优越特性，展望了磷化铟材料在我国的发展前景。...
[期刊论文] 作者：董宏伟,赵有文,焦景华,赵建群,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2002
对高温退火非掺磷化铟 (In P)制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究 .非掺低阻 N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行 930℃、80 h退火均可获得半绝缘材...
[期刊论文] 作者：赵有文,孙聂枫,冯汉源,C.D.Beling,孙同年,林兰英,
来源：城市道桥与防洪 年份：2002
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：赵有文,罗以琳,孙聂枫,冯汉源,孙同年,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2002
利用变温霍尔和电流 -电压特性 (I- V)两种方法分别对半导体和半绝缘的退火非掺磷化铟材料进行了测量 .在非掺退火后的半导体磷化铟样品中可以测到缺陷带电导 ,这与自由电子...
[期刊论文] 作者：董宏伟,赵有文,焦景华,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：科学通报 年份：2002
过去的几年中,由于1.31和1.55 μm波长半导体激光器在光纤通信领域得到了广泛的应用。磷化锢(InP)衬底材料的研究和规模化生产因此受到了极大的推动,并已逐步成为继硅(Si)和...
[期刊论文] 作者：赵有文,罗以琳,孙聂枫,冯汉源,C.D.Beling,孙同年,林兰英,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2002
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：董宏伟,赵有文,焦景华,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文讨论了掺杂元素及其浓度的变化对磷化铟(InP)晶格常数带来的影响,并说明这种变化实际意义.研究结果表明:InP晶格大小变化的主要原因是由于掺杂元素的四面体共价半径不同...
[期刊论文] 作者：赵有文,董宏伟,焦景华,赵建群,林兰英,孙聂枫,孙同年,
来源：半导体学报 年份：2002
对液封直拉 (L EC)非掺磷化铟 (In P)进行 930℃ 80 h的退火可重复制备直径为 5 0和 75 mm的半绝缘 (SI)衬底 .退火是在密封的石英管内纯磷 (PP)或磷化铁 (IP)两种气氛下进行...
[期刊论文] 作者：孙聂枫,杨光耀,吴霞宛,曹立新,赵权,郭维廉,赵有文,孙同年,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
在未掺杂和掺Fe的LEC In中用FT IR测试到VInH4 的存在。已经证实该缺陷在LEC -InP中普遍存在。经研究表明在掺Fe的InP中的VInH4 浓度比在未掺杂中的高。而在同一晶锭中其浓度...
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