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[会议论文] 作者：赵善麒,
来源：中国电工技术学会电力电子第六次全国学术会议 年份：1997
该文针对新型电力半导体器件ＭＣＴ的ｄｖ／ｄｔ特性进行了实验研究，发现在较低正、负栅压和较高工作温度情况下，ＭＣＴ对ｄｖ／ｄｔ十分敏感。对这现象进行了理论分析。...
[期刊论文] 作者：赵善麒,潘福泉,
来源：半导体学报 年份：1990
本文介绍一种高灵敏度光触发晶闸管的结构特点及关键的生产工艺,并对该器件进行了理论分析和主要参数的计算机辅助设计,提出了带有薄n层的台阶形光敏门极结构可使器件获得较...
[期刊论文] 作者：李树良,赵善麒,
来源：半导体技术 年份：2000
根据实验数据给出了双向晶闸管的通态电压特性曲线。通过对特性曲线的分析，认为用铬－镍－银阻挡层烧结新的工艺可大 向晶闸管的双向通态特性。...
[期刊论文] 作者：赵善麒,潘福泉,
来源：电力电子技术 年份：1989
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[期刊论文] 作者：裴素华,赵善麒,
来源：半导体杂志 年份：1998
利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶曾管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高分布提高２００Ｖ左右，且通态特性和动态特性保持优良。实......
[期刊论文] 作者：裴素华,赵善麒,
来源：电力电子技术 年份：1997
分析了借助镓高斯函数浓度分布改善快速晶闸管ｄｖ／ｄｔ，ｄｉ／ｄｔ耐量的机理，并给出实验结果。...
[期刊论文] 作者：裴素华,赵善麒,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
对提高快速晶闸管发射区ｎｃ与基区Ｐｂ杂质浓度比值Ｎｃ／Ｎｂ，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ｇａ扩散技术的特点，并与闭管Ｇａ扩散和Ｂ－Ａ１双质Ｐ型扩散方式进行了比较。实验证明，用开管Ｇａ扩散工艺制造......
[期刊论文] 作者：赵善麒,李天望,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
用１２ＭｅＶ电子束对普通高压晶闸管，快速晶闸管，双向晶闸管进行辐照，测试这几种器件的主要电学参数，实验发现１２ＭｅＶ电子辐照明显改善这些电力半导体器件的电学性能，辐照后的器件经过退火处理，可以......
[期刊论文] 作者：裴素华,赵善麒,
来源：半导体学报 年份：1998
探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法，用于各类晶闸管的制造，使器件具有触发参数一致性好，通态特性优良，ｄｖ／ｄｔ，ｄｉ／ｄｔ耐量高等特点，实践证明，该系统是一项值得在电力半导体器件制造......
[期刊论文] 作者：赵善麒,高鼎三,
来源：半导体杂志 年份：1990
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[期刊论文] 作者：赵善麒,高鼎三,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
The on-state loss in a thyristor is of much concern, and its most important parameter is the on-state voltage which should include the junction voltage Vj, the...
[期刊论文] 作者：裴素华,薛成山,赵善麒,
来源：电力电子技术 年份：1997
分析了借助镓高斯函数浓度分布改善快速晶闸管ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量的机理，并给出实验结果。...
[期刊论文] 作者：裴素华,薛成山,赵善麒,
来源：半导体学报 年份：1998
本文对镓、镓－硼现任中基区的３ＤＤ２０２型晶体管负阻摆幅现象进行了比较和理论分析。证明了基区表面杂质浓度分布对器件发射极－集电极电压负阻特性有较大影响。...
[期刊论文] 作者：赵善麒,高鼎三,潘福泉,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1990
本文研讨了具有薄n层结构的受光区,对提高光控晶闸管的光触发灵敏度的作用及触发灵敏度与dV/dt耐量间的协调关系,结果表明,这种结构可使其具有较高的触发灵敏度,可较好的协调...
[期刊论文] 作者：赵善麒,高鼎三,潘福泉,
来源：半导体光电 年份：1990
为了提高光控晶闸管的触发灵敏度,我们在器件的受光区表面蒸镀上一层SiO减反射膜,本文在理论上指出了SiO作为减反射膜所必须满足的条件,并在实验上对SiO膜的减反射效果进行了...
[期刊论文] 作者：赵善麒,高鼎三,潘福泉,
来源：半导体学报 年份：1990
本文介绍一种高灵敏度光触发晶闸管的结构特点及关键的生产工艺,并对该器件进行了理论分析和主要参数的计算机辅助设计,提出了带有薄n层的台阶形光敏门极结构可使器件获得较...
[期刊论文] 作者：裴素华,薛成山,赵善麒,
来源：半导体学报 年份：1998
探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法，用于各类晶闸管的制造，使器件具有触发参数一致性好，通态特性优良，ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量高等特点．实践证明，该系统是一项值得在电力半导体器件制......
[期刊论文] 作者：裴素华,薛成山,赵善麒,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne／Nb，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ga扩散技术的特点，并与闭管Ga扩散和B－A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明，用......
[期刊论文] 作者：赵善麒,高鼎三,王正元,
来源：半导体学报 年份：1994
本文具体描述了锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的设计思想，介绍了该新型结构器件的关键的生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究．研制成功的直径为３０ｍｍ，电流容量为......
[期刊论文] 作者：赵善麒,郑景春,宋泽令,
来源：电力电子技术 年份：1995
在阐述双向晶闸管换向理论的基础上，推导出了器件换向电压临界上升率的数学表达式；提出了改善器件换向能力的主要措施，并指出门极短路结构和１２ＭｅＶ电子局部辐照工艺是提高大功率双向晶......
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