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本文对镓、镓－硼现任中基区的３ＤＤ２０２型晶体管负阻摆幅现象进行了比较和理论分析。证明了基区表面杂质浓度分布对器件发射极－集电极电压负阻特性有较大影响。
表面杂质浓度分布对晶体管负阻特性的影响
【摘 要】
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本文对镓、镓－硼现任中基区的３ＤＤ２０２型晶体管负阻摆幅现象进行了比较和理论分析。证明了基区表面杂质浓度分布对器件发射极－集电极电压负阻特性有较大影响。
【机 构】
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山东师范大学,北京电子新技术研究开发中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1998年3期
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