MOS控制晶闸管(MCT)dv/dt敏感性的研究

来源 :中国电工技术学会电力电子第六次全国学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tonerzhang
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该文针对新型电力半导体器件MCT的dv/dt特性进行了实验研究,发现在较低正、负栅压和较高工作温度情况下,MCT对dv/dt十分敏感。对这现象进行了理论分析。
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