搜索筛选:
搜索耗时0.8329秒,为你在为你在102,267,441篇论文里面共找到 22 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：毛凌,
来源：今日中学生 年份：2003
云和风一起窃窃私语树叶摇摆不定做起了选择题蜘蛛铺开网想接住太阳的问候阳光@毛凌$平昌县佛楼初中Cloud and wind whispering whispering leaves swaying from...
[期刊论文] 作者：毛凌,,
来源：今日中学生 年份：2003
我喜欢做梦,更喜欢把每一个梦画出来。儿时,我梦想当一名戏剧演员,让自己也成为“救世英雄”。有时,我会不由自主地回到古代,将自己融入故事中与古人一起欢乐和悲伤,将自己...
[期刊论文] 作者：毛凌文,
来源：图书馆论坛 年份：2003
简述了第一部分(著录法)存在的一些问题及解决办法....
[期刊论文] 作者：毛凌艳,
来源：中小学英语教学与研究 年份：2003
...
[期刊论文] 作者：毛凌艳,
来源：中小学英语教学与研究 年份：2003
在目前出版的小学英语教材中，大多收入了韵句，如韵律小诗、童谣等作为教学的材料。与一般的教学材料不同的是，韵句节奏感强、琅琅上口、容易背诵、语调优美。对小学中低年级学生......
[期刊论文] 作者：毛凌文,
来源：新世纪图书馆 年份：2003
论文对公共图书馆外联馆员的含义、资格、工作职责及其效益评价进行了简要论述....
[期刊论文] 作者：李秀英,毛凌丽,
来源：河北医学 年份：2003
我院外科自1995年至2002年手术治疗甲亢病人54例,效果满意.现将手术期间的护理体会报告如下....
[期刊论文] 作者：毛凌艳,毛辉,
来源：中小学英语教学与研究 年份：2003
...
[期刊论文] 作者：周廷美,毛凌,
来源：计算机工程 年份：2003
以蜂窝纸板的静态压缩实验数据为训练样本,建立了蜂窝纸板静态缓冲特性的神经网络模型,并对网络训练算法进行了一些改进,仿真结果表明蜂窝纸板的神经网络特性模型较好地模拟...
[期刊论文] 作者：霍宗亮,毛凌锋,等,
来源：半导体学报 年份：2003
基于界面陷阱的定义，通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nmMOS结构中的界面陷阱密度和它的能量分布，发现这两种方法提取的界面陷阱密度......
[期刊论文] 作者：霍宗亮,毛凌锋,等,
来源：半导体学报 年份：2003
基于一阶速率方程，讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为，通过对应力电流的拟合，发现存在三类缺陷产生的前身，更进一步的实验显示，在缺陷产生时间常数、击穿时间以及应力电压之......
[期刊论文] 作者：霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
基于一阶速率方程 ,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为 .通过对应力电流的拟合 ,发现存在三类缺陷产生的前身 .更进一步的统计实验显示 ,在缺陷产生时间常数、击穿时间...
[期刊论文] 作者：霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
基于界面陷阱的定义 ,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和它的能量分布 .发现这两种方法提取的界面陷...
[期刊论文] 作者：刘秋英,蔡耀辉,颜满莲,毛凌华,魏冬,颜龙安,
来源：江西农业学报 年份：2003
用"金A"与自育的强恢复系"752"配组,育成了杂交中晚稻新组合"金优752",该组合具有穗大粒多、结实率高、优质、高产、抗病性较强、制种产量高、株型理想等特点;探讨了"金优752...
[期刊论文] 作者：杨国勇,王金延,霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
利用电荷泵技术研究了 4nmpMOSFET的热载流子应力下氧化层陷阱电荷的产生行为 .首先 ,对于不同沟道长度下的热载流子退化 ,通过直接的实验证据 ,发现空穴陷阱俘获特性与应力...
[期刊论文] 作者：杨国勇,王金延,霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
在电荷泵技术的基础上，提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对pMOS器件热载流子应力下的阈值电压退化的作用，并且这种方法得到了实验的验证．结果表明......
[期刊论文] 作者：杨国勇,王金延,霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2003
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：杨国勇,王金延,霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
在电荷泵技术的基础上 ,提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对 p MOS器件热载流子应力下的阈值电压退化的作用 ,并且这种方法得到了实验的验证 ....
[期刊论文] 作者：杨国勇,毛凌锋,王金延,霍宗亮,王子欧,许铭真,谭长华,
来源：半导体学报 年份：2003
提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法，用于提取LDD n—MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生．这种方法对于初始样品以及热载流子应力退化后的样品都适用．采用这种......
[期刊论文] 作者：杨国勇,霍宗亮,王金延,毛凌锋,王子欧,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
通过测量界面陷阱的产生，研究了超薄栅nMOS和pMOS器件在热载流子应力下的应力感应漏电流(SILC)．在实验结果的基础上，发现对于不同器件类型(n沟和p沟)、不同沟道长度(1、0．5、0．275......
相关搜索：
