超薄栅MOS器件热载流子应力下SILC的产生机制

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chen2960798
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通过测量界面陷阱的产生,研究了超薄栅nMOS和pMOS器件在热载流子应力下的应力感应漏电流(SILC).在实验结果的基础上,发现对于不同器件类型(n沟和p沟)、不同沟道长度(1、0.5、0.275和0.135μm)、不同栅氧化层厚度(4和2.5nm),热载流子应力后的SILC产生和界面陷阱产生之间均存在线性关系,这些实验证据表明MOS器件减薄后,SILC的产生与界面陷阱关系非常密切。
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