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[期刊论文] 作者：杨柏梁,
来源：液晶与显示 年份：2000
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[期刊论文] 作者：杨柏梁,
来源：液晶与显示 年份：1999
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[期刊论文] 作者：杨柏梁,,
来源：电子产品世界 年份：1998
LCD 市场的供需关系虽有波动,但以笔记本电脑等移动装置、台式计算机的监视器、车载引导系统等消费类电器为中心的市场仍保持稳定增长的趋势。另外,从节省功耗、减少体...
[期刊论文] 作者：彭剑峰,杨柏梁,
来源：液晶与显示 年份：1999
介绍了ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ开关器件的有源层、栅绝缘层、欧接触层以及界面特性的研究工作。研制了ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ单管器件，其开关电流达到６个数量级，为最终研制ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴＡＭＬＣＤ在奠定了坚实的基础。......
[期刊论文] 作者：李牧菊,杨柏梁,
来源：半导体学报 年份：2002
应用场助热电子发射（thermionic field emission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系，讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方...
[期刊论文] 作者：杨柏梁,张传平,
来源：人工晶体学报 年份：1992
本文用 Van der pauw 法在77～300k 的温度范围内测试了 CdTe∶Al 材料的霍尔电学特性。实验测得 Al 杂质施主能级为0.010eV,最大霍尔迁移率为1.8×10~3cm~2/V·s,实验...
[期刊论文] 作者：刘传珍,杨柏梁,
来源：液晶与显示 年份：1999
建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型。利用ＴＦＴ的线性近似和Ｅｍｏｒｅ模型，计算了周边驱动电路中的信号失真，讨论了栅延迟与栅电极材料的叛乱级对ＴＦＴ开态电阻的要求。......
[期刊论文] 作者：刘传珍,杨柏梁,
来源：液晶与显示 年份：2000
利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析手段，进行了表征与分析，对晶体的阈值能量密度进行了计算，并对激光退火的机理进行了探讨。研究结果表明：α－Ｓｉ晶化的阈值能量......
[期刊论文] 作者：李牧菊,杨柏梁,
来源：液晶与显示 年份：1999
建立了ａ－ＳｉＴＦＴＡＭＬＣＤ的等效电路模型，综合考虑栅信号线电阻，栅与源信号线的交叠电容以及ＴＦＴ导电沟道电容构成的ＲＣ常数，模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸，显示分辨率及信号电极材料的依赖关系，为......
[期刊论文] 作者：李牧菊,杨柏梁,
来源：液晶与显示 年份：1999
用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）制备了氢化非晶硅薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ）并进行了退火实验，利用红外吸收光谱（ＩＲ）和金相显微镜研究了薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象，得出材料组成及热稳定性对衬定温......
[期刊论文] 作者：刘传珍,杨柏梁,
来源：液晶与显示 年份：1999
介绍了薄膜晶体管，特别是ｐ－ＳｉＴＦＴ矩阵寻址液晶显示器的工作原理，结构，特点，制作 工艺和电学特性，对器件参数的选择进行了分析。...
[期刊论文] 作者：王庆兵,杨柏梁,
来源：电子产品世界 年份：2000
近几年,由于便携式设备市场的快速增长,有效地刺激了中小尺寸LCD产品的发展.伴随着信息与数字时代的到来,以移动电话和PDA为代表的便携式信息终端正逐步进入人们日常生活和工...
[会议论文] 作者：杨柏梁,李建中,高宏,
来源：第十七届全国数据库学术会议 年份：2000
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[期刊论文] 作者：王大海,杨柏梁,杨柏梁,吴渊,吴渊,刘传珍,,
来源：液晶与显示 年份：2000
利用磁控溅射的方法制备了Cr、 Ta、 Al、 Mo、 MoW等金属薄膜，采用XRD、 SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对...
[期刊论文] 作者：杨柏梁,石川幸雄,
来源：半导体学报 年份：1999
本文模拟计算了ＣｄＴｅ中Ｔｅ沉淀相对红外光的散射吸收作用及其对入射光能量和Ｔｅ沉淀相尺寸的依赖关系，根据光透射比分别处理了ＣｄＴｅ的吸收和Ｔｅ沉淀相的散射吸收消光作用。结合光致发光和电学特性......
[期刊论文] 作者：杨柏梁,石川幸雄,
来源：半导体学报 年份：1999
以超高纯Ｔｅ和重复区熔法获得的超高纯Ｃｄ为原料，用改进的气相物理输运法制备了高质量的ＣｄＴｅ单晶，改进的ＰＶＴ有效地抑制了生长安瓶封装时产生的原料氧化和沾污，提高了生长速率和稳定性利用电子......
[期刊论文] 作者：刘传珍,杨柏梁,等,
来源：半导体学报 年份：2001
利用金属诱导晶化（Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化，MIC晶化温度能降低到440℃.采用XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了Ni-MIC多晶硅薄膜...
[期刊论文] 作者：纪世阳,李牧菊,杨柏梁,
来源：液晶与显示 年份：2001
采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流， 同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果， 使漏极电流降低到10-11A量级， 晶体管的开关电流比值达到106量级。 模拟研......
[期刊论文] 作者：杨柏梁,石川幸雄,一色实,
来源：半导体学报 年份：1999
以超高纯Ｔｅ 和重复区熔法获得的超高纯Ｃｄ 为原料，用改进的气相物理输运法制备了高质量的ＣｄＴｅ单晶．改进的ＰＶＴ 有效地抑制了生长安瓶封装时产生的原料氧化和沾污，提高了生长速率和稳定性．利用......
[期刊论文] 作者：杨柏梁,石川幸雄,一色实,
来源：半导体学报 年份：1999
本文模拟计算了ＣｄＴｅ 中Ｔｅ 沉淀相对红外光的散射吸收作用及其对入射光能量和Ｔｅ沉淀相尺寸的依赖关系，根据光透射比分别处理了ＣｄＴｅ 的吸收和Ｔｅ 沉淀相的散射吸收消光作用．结合光致发光和电学特......
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