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利用金属诱导晶化（Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化，MIC晶化温度能降低到440℃.采用XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了Ni-MIC多晶硅薄膜的特性，对薄膜结构和组成进行了分析，对晶化过程的机理进行了讨论。