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采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流， 同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果， 使漏极电流降低到10-11A量级， 晶体管的开关电流比值达到106量级。 模拟研究掺杂区浓度和宽度与多晶硅薄膜晶体管开关电流比的变化关系。
源漏轻掺杂结构多晶硅薄膜晶体管模拟研究
【摘 要】
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采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流， 同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果， 使漏极电流降低到10-11A量级， 晶体管的开关电流比值达到106量级。 模拟研
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心
【出 处】
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液晶与显示
【发表日期】
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2001年2期
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