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[期刊论文] 作者：徐现刚,黄柏标,任红文,刘士文,蒋民华,
来源：稀有金属：英文版 年份：1994
ＭＯＣＶＤＧｒｏｗｔｈｏｆＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）ＡｓＳｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓＸｕＸｉａｎ＇ｇａｎｇ；ＨｕａｎｇＢａｉｂｉａｏ；ＲｅｎＨｏｎｇｗｅｎ；ＬｉｕＳｈｉｗｅｎａｎｄＪｉａｎｇＭｉｎｈｕａ（徐现刚...
[期刊论文] 作者：徐现刚, 黄柏标, 任红文, 刘士文, 蒋民华,
来源：RARE METALS 年份：1994
ＭＯＣＶＤＧｒｏｗｔｈｏｆＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）ＡｓＳｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓＸｕＸｉａｎ＇ｇａｎｇ；ＨｕａｎｇＢａｉｂｉａｏ；ＲｅｎＨｏｎｇｗｅｎ；ＬｉｕＳｈｉｗｅｎａｎｄＪｉａｎｇＭｉｎｈｕａ（徐现刚...
[期刊论文] 作者：程兴奎,黄柏标,徐现刚,刘士文,任红文,蒋民华,
来源：山东电子 年份：1995
ＧａＡｓ量子阱红外探测器的光学性质程兴奎，黄柏标，徐现刚，刘士文，任红文，蒋民华１９８９年，美国贝尔实验室首次用ＭＢＥ制出８－１２μｍ宽带ＧａＡｓ量子阱红外探测器￣［１］，这种器件较ＨｇＣｄＴｅ探测器有许多优点...
[期刊论文] 作者：薛国兰,
来源：神州学人 年份：2003
三年前,年仅35岁的归国博士徐现刚成为教育部首批“长江学者奖励计划”特聘教授时,在山东大学曾激起一阵波澜。三年来,徐教授的战绩频频传出。为了解他的成功秘诀及创业历程...
[期刊论文] 作者：徐现刚,
来源：中国科学A辑 年份：2004
Lattice-matched InGaAs/InP heterostructures have been grown by using metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) with tertiarybutylarsine (TBAs), tertiarybutylphos...
[期刊论文] 作者：徐现刚,,
来源：国际学术动态 年份：2004
第lO届SiC及其相关材料国际会议于2003年10月5～10日在法国里昂国际会议中心召开(http：//ieserm2003．inpg．fr／)，与会代表多达500余人，其中美国和日本各有100余人，其余大部分来自欧洲，山......
[学位论文] 作者：徐现刚,
来源：山东大学 年份：1992
...
[会议论文] 作者：徐现刚,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
以SiC单晶为例介绍了宽禁带半导体材料的独特物理性质、材料制备现状及其应用.SiC单晶的研发在光电子技术的应用推动下近期发展迅速，单晶直径已经达到了6英寸，为电子器件的......
[会议论文] 作者：徐现刚,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
SiC材料作为第三代宽禁带半导体材料的代表,具有优良的物理性质和广阔的应用前景.本报告简单介绍了SiC材料的结构和基本性质,综述其在电力电子、光电子和微波器件中应用和其器件生产过程,回顾了晶体生长的历史,介绍现阶段PVT生长方法和LPE方法的进展.重点展示国......
[期刊论文] 作者：,
来源：人工晶体学报 年份：2014
山东大学晶体材料重点实验室徐现刚教授等完成的＂大直径...
[期刊论文] 作者：杨亲民,卢利平,,
来源：功能材料信息 年份：2008
徐现刚男,1965年1月出生,山东泰安人,中共党员。1986年7月毕业于山东大学物理专业,获学士学位;1986年9月～1989年7月在山东大学凝聚态物理专业攻读并获硕士学位;1992年7月获山...
[期刊论文] 作者：程兴奎,黄柏标,
来源：山东电子 年份：1995
ＧａＡｓ量子阱红外探测器的光学性质程兴奎，黄柏标，徐现刚，刘士文，任红文，蒋民华１９８９年，美国贝尔实验室首次用ＭＢＥ制出８－１２μｍ宽带ＧａＡｓ量子阱红外探测器￣［１］，这种器件较ＨｇＣｄＴｅ探测器有许多优点...
[期刊论文] 作者：李明, 徐现刚,,
来源：激光杂志 年份：2017
从工程应用角度论述了安防夜视监控领域激光主动照明技术现状及未来发展趋势,讨论了激光照明安全问题。指出安防LED照明技术受制于其发光效率等物理极限,未来将被激光照明技...
[期刊论文] 作者：徐现刚,S.P.Watkins,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2001
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：刘喆,徐现刚,
来源：材料科学与工程学报 年份：2003
本文综述了国际上SiC单晶生长的发展历史及现状。从其结构特点生长方法的选择 ,生长过程中的问题以及存在的晶体缺陷等方面进行了介绍...
[期刊论文] 作者：肖龙飞, 徐现刚,,
来源：强激光与粒子束 年份：2019
碳化硅作为第三代宽禁带半导体的核心材料之一,相对于传统的硅和砷化镓等半导体材料,具有禁带宽度大、载流子饱和迁移速度高,热导率高、临界击穿、场强高等诸多优异的性质。...
[期刊论文] 作者：沈燕,徐现刚,,
来源：齐鲁工业大学学报(自然科学版) 年份：2016
气液固（VLS）生长是一维纳米晶材料生长最常见的方法。通过电子束加热蒸发氧化铟锡薄膜,在缺氧状态下生长出无序纳米晶的表面形态,粗糙度达到了几十至上百纳米。分析其生长机理,......
[会议论文] 作者：徐现刚,田亮光,
来源：2015中国珠宝首饰学术交流会 年份：2015
合成碳化硅(SiC)由于其良好的导热性和高硬度被视为钻石的最佳替代品.山东大学通过PVT法制备了高质量2至6英寸直径的SiC晶体,并通过对掺杂技术的研究和摸索,成功获得了无色、...
[期刊论文] 作者：徐现刚,唐喆,
来源：Science in China,Ser.A 年份：2002
Lattice-matched InGaAs/lnP heterostructures have been grown by using metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) with tertiarybutylarsine (TBAs), tertiarybutylphos...
[期刊论文] 作者：徐现刚,黄伯标,
来源：红外与毫米波学报 年份：1992
报道用金属有机汽相外延技术(MOVPE)生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格结构材料及其光电器件应用,用横断面透射电子显微术(XTEM)表征外延层结构.在自电光效应光学双稳态器件(SEE...
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