【摘 要】
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以SiC单晶为例介绍了宽禁带半导体材料的独特物理性质、材料制备现状及其应用.SiC单晶的研发在光电子技术的应用推动下近期发展迅速，单晶直径已经达到了6英寸，为电子器件的
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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以SiC单晶为例介绍了宽禁带半导体材料的独特物理性质、材料制备现状及其应用.SiC单晶的研发在光电子技术的应用推动下近期发展迅速，单晶直径已经达到了6英寸，为电子器件的应用奠定了基础，其典型的缺陷--微管得到了有效控制，同时单晶的其他常见缺陷密度也大大降低，使得大功率的电力电子器件应用逐步推广开来.这些结果表明，以SiC为代表的宽禁带半导体正逐步进入我们的生活领域，在节能、环保等方面发挥越来越大的作用.
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