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[期刊论文] 作者：宋志棠,任巍,
来源：压电与声光 年份：1999
采用金属有机物热分解法在氮和氧气氛下分别制备了不同Ｐｂ过量的镧钛酸铅（ＰＬＴ）铁电薄膜，薄膜电性能测试表明，两种气氛下所制备的Ｐｂ过量ＰＬＴ薄膜样品出现电滞回线束膜和ε－Ｖ曲线四峰等异常现象。......
[期刊论文] 作者：宋志棠,任巍,
来源：功能材料与器件学报 年份：1999
采用金属有机物热分解法制备了不同Ｐｂ过量的锆钛酸铅（ＰＺＴ）铁电薄膜。观测到Ｐｂ过量ＰＺＴ薄膜电滞回线束腰与Ｃ－Ｖ曲线四峰的异常现象，其异常程度随时间回剧。这是薄膜样品有界晶和界面上的ＰｂＯ２相所诱导......
[期刊论文] 作者：宋志棠,任巍,
来源：功能材料 年份：1997
用Ｘ射线衍射和扫描电镜对不同厚度Ｔｉ的Ｐｔ／Ｔｉ电极的物要与形貌进行了分析。用金属有机化合物分解法通过多次匀胶，制备了０．７２－０．８７μｍ厚的ＰＬＴ铁电薄膜。并对其形貌，相结合介电和铁电性能与直流电阻特性......
[期刊论文] 作者：宋志棠,任巍,
来源：材料研究学报 年份：1997
随着热处理温度上升，在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上溅射的Ｐｔ、Ｐｔ／Ｔｉ电极中，构成Ｐｔ薄膜的晶粒由小变大，由分布均匀到晶粒局部聚集，最后分离成小岛。Ｔｉ层可提高Ｐｔ薄膜与基片间的粘附性和高温下的稳定性。快速热处理可......
[期刊论文] 作者：宋志棠,任巍,
来源：材料研究学报 年份：1998
采用金属有机热分解法制备了Ｐｂ过量的ＰＬＴ铁电薄膜，电子探针和Ａｕｇｅｒ电子能谱分析证实了薄膜中及薄膜与底电极界面上存在过量Ｐｂ引起成份偏析，导致缺陷能级上的陷阱电荷，在退极化场的作用下，陷阱......
[期刊论文] 作者：宋志棠,刘纯亮,
来源：核科学与工程 年份：1997
利用计算机推导出非均匀扇形磁场所有三阶象差具体解析表达式，所用软件包是用人工智能语言Ａｒｉｔｙ Ｐｒｏｌｏｇ编制，所得结果可直接应用于高性能扇形磁场分析器和偏转器的工程设计和计算。......
[期刊论文] 作者：宋志棠,刘纯亮,
来源：计算物理 年份：1997
给出了环形电场轴向三阶色散象差系数的具体解析表达式，可直接应用于工程设计和计算，该结果是用自制的软件包计算机自动推出的，所有软件包是用人工智能语言Ａｒｉｔｙ Ｐｒｏｌｏｇ编制，并介绍了软件包......
[期刊论文] 作者：杨型健,宋志棠,
来源：太原重型机械学院学报 年份：1995
本文从理论上推出非均匀扇形磁场的四阶轨迹方程，通过符号运算和逻辑推理计算机自动设立待定解推出四阶的Ｇ－Ｓ关系，手工反解出四阶的Ｓ－Ｇ规则，本文结果为进一步计算出四阶离子轨迹及其斜......
[期刊论文] 作者：宋志棠,刘纯亮,
来源：原子能科学技术 年份：1996
利用自行研制的软件包推导出非均匀扇形磁场所有三阶象差系数的具体解析表达式。纠正了国外学者手工推导的径向三阶象差系数的６项错误。首次推导出了非均匀扇形磁场的轴向三阶......
[期刊论文] 作者：宋志棠,刘纯亮,
来源：西安交通大学学报 年份：1995
所介绍的软件系用人工智能语言（ＡＲＩＴＹ／ＰＲＯＬＯＧ）编程，可在微机上自动推导象差系数表达式的软件。文中以环形电场的象差计算为例给出了计算结果，以示软件的实际应用。......
[期刊论文] 作者：宋志棠,曾建明,
来源：稀有金属材料与工程 年份：1999
采用高真空电子束蒸与直流溅射在ＳｉＯ２／Ｓｉ基底上制备Ｐｔ／Ｔｉ底电极，对Ｐｔ／Ｔｉ在不同热处理温度下的结构与形貌进行对比研究。结果表明；由于采用不同的制备工艺，Ｐｔ晶粒在成核与生长方式上有所不同，导致了Ｐｔ薄......
[期刊论文] 作者：宋志棠,刘纯亮,
来源：西安交通大学学报 年份：1996
利用计算机推导出环形电场轴向所有三阶象差系数具体解析表达式，所有软件色均用人工智能语言Ａｒｉｔｙ－Ｐｒｏｌｏｇ编制，并简要地介绍了该软件包推导象差系数的过程，所得结果可直接应用于工程设计和计......
[期刊论文] 作者：宋志棠,杨型健,
来源：太原重型机械学院学报 年份：1996
本文是文献［１］的后续部分．本文将进一步给出求解Ｇ—Ｓ关系的计算机实现过程和手工反解得到的四阶Ｓ—Ｇ规则，从而为计算四阶离子轨迹及其斜率奠定基础．This article is the follow-up to......
[期刊论文] 作者：章宁琳,宋志棠,等,
来源：功能材料 年份：2002
随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非...
[会议论文] 作者：邢溯;宋志棠;林成鲁;,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
用MOD法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上生长了(110)取向柱状生长的Ba0.8Sr0.2TiO3薄膜过渡层,并在其上用PLD在不同氧压下淀积了Ba0.8Sr0.2TiO3薄膜.发现MOD的薄膜过渡层对其后用...
[会议论文] 作者：宋志棠;任巍;张良莹;姚熹;,
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
采用金属有机热分解方法制备了pb过量的钢铁酸铅（PLT）铁电薄膜。电子探针和俄歇电子能谱证实了过量Pb存在于PLT薄膜中和界面上。薄膜的I（t）曲线研究表明，Pb过量的PLT薄膜中存在有......
[期刊论文] 作者：宋志棠,任巍,张良莹,姚熹,
来源：压电与声光 年份：1997
室温下在ＭＯＤ法制备的ＰＬＴ铁电薄膜的样品上，观察不同电场强度下电流随时间的变化，根据电流的变化情况，把电场划分为弱、中、强三个区间。在弱场下，电流随时间的变化可用幂指数的衰减来模......
[期刊论文] 作者：宋志棠,刘纯亮,夏慧琴,
来源：原子能科学技术 年份：1996
利用自行研制的软件包推导出非均匀扇形磁场所有三阶象差系数的具体解析表达式。纠正了国外学者手工推导的径向三阶象差系数的６项错误。首次推导出了非均匀扇形磁场的轴向三阶......
[期刊论文] 作者：宋志棠,任巍,张良莹,姚熹,
来源：材料研究学报 年份：1998
采用金属有机热分解法制备了Pb过量的PLT铁电薄膜电子探针和Auger电子能谱分析证实了在薄膜中及薄膜与底电极界面上存在过量Pb引起成份偏析，导致缺陷能级上的陷阱电荷。在退极...
[期刊论文] 作者：章宁琳,宋志棠,万青,林成鲁,
来源：功能材料 年份：2002
随着半导体技术的不断发展 ,MOSFET (metal oxide semiconductorfieldeffecttransistor)的特征尺寸不断缩小 ,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应...
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