搜索筛选:
搜索耗时1.6455秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 53 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《NIKKEI MicroDevices》2009年第10期报道,韩国三星电子研发了高灵敏度新型CMOS传感器,采用背面照射(BSI:backside illumination)技术,计划2010年应用并量产。与CCD相比,C...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《Portable Design》2010年第8期报道,In-Stat公司的市场报告表明,2013年,随着上网本、智能手机、电视机、机顶盒和其他设备对WiFi利用率的上升,WiFi互连设备将达到2.16亿...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《东芝レビュ一》2010年第3期报道,为了实现雷达系统的多用途、高性能,其关键是大功率T/R组件的研发。为了实现这一目标,东芝公司开发了GaNHEMT放大器的收发组件。该组件采...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
Hittite微波公司宣布推出一个新系列片式砷化镓(GaAs)MMIC混频器、I/Q混频器、次谐波IRM混频器,频率覆盖范围达19～90GHz。这些VelociumGaAs MMIC混频器产品是很多应用的理想选...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2009年109(109)期报道,日本佐贺大学研究了耿氏二极管高次谐波振荡器的低噪声技术。新开发的振荡器由slot line谐振器、耿氏二极管和微带线构成。通过平面...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《Simeconductor FPD World》2009年第11期报道,由于金刚石材料具有5.5 eV带隙的优异特性,作为低碳器件已引起人们的关注。目前的研究方向主要是单晶片的制作和实现降低功...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2009年109(25)期报道,日本北海道大学量子集成电子研究中心通过电化学工艺来氧化GaN表面,并系统性测评其表面控制性。实验使用的器件是蓝宝石衬底MOCVD生...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《NIKKEI MicroDevices》2009年第9期报道,X参数在高频电路设计中越来越受到设计工程师的关注。三菱电机GaN HEMT放大器研究人员力推该参数的效用。X参数是美国Agilent Tec...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,三菱电机信息技术综合研究所和高频光器件制作所合作制作了X波段GaN HEMTT/R开关。GaN HEMT IC尺寸为1.3 mm×1.7 mm。GaN HEMT的耐...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《NIKKEI MicroDevices》2009年第11期报道,日本太阳诱电公司开发了一种20 GHz的RF MEMS开关器件。该器件第一次搭载了压电驱动器According to “NIKKEI MicroDevices”...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《NIKKEI MicroDevices》2009年第12期报道,日亚化学工业在2009年10月29日召开的“Green Device 2009 Forum”会议上披露,该公司研发了直径5mm的圆锥形封装的白色LED,在注...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据报道,美国滨州大学光电材料中心(EOC)的研究人员已成功制造出可生产纯炭半导体元件的4英寸(100nm)石墨炭(graphene)晶圆片。4英寸石墨烯晶圆可包含约75000个元件以及测试结...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《Simeconductor FPD World》2009年第11期报道,在低碳经济和绿色能源政策的推动下,世界半导体公司纷纷介入宽禁带半导体功率器件的研究。日本从事GaN功率器件的主要研究单...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2009年109(210)期报道,日本NEC电子器件公司采用标准90 nm CMOS工艺成功开发了60 GHz的毫米波相控阵发射机。发射机由相位同步振荡器和6个RF电路(调谐器、...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《NKKEI MicroDevices》2009年第11期报道,日本Elpida存储器公司采用TSV工艺开发了8层叠装的IG DRAM芯片。电极材料由多晶硅改为低阻抗Cu,降低了功耗。该公司已开发出将微...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2009年109(242)期报道,日本青山学院大学理工学部安住壮纪等人采用LTCC工艺设计制作了小型超宽带(UWB)带通滤波器(BPF)。According to “Letters Scienc...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《Portable Design》2010年第6期报道,TriQuint公司日前推出射频前端解决方案支持Qualcomm的3 G芯片。方案包括用于WCDMA的TRITON PAModule和用于GSM/EDGE的HADRON 2 PA Mo...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2009年109(210)期报道,日本电气通信大学采用串联负荷型GaN HEMT开发了微波多蒂尔功率放大器。1.9 GHz的放大器与原来的推挽式放大器相比,在输出功率24 dB...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,北海道大学量子集成电子研究中心采用周期性台面结构的多台面型沟道(MMC,Multi Mesa Channel)技术开发了AlGaN/GaN HMET,与一般的平...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2010年110-14期报道,日本NTT公司开发了3D结构的准毫米波RF前端MMIC。该3D MMIC尺寸为3mm×3mm。发射采用上变频器,IF频带和RF频带分别具有增益控制功能,...
相关搜索：
