【摘 要】
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据《信学技报》(日)2009年109(25)期报道,日本北海道大学量子集成电子研究中心通过电化学工艺来氧化GaN表面,并系统性测评其表面控制性。实验使用的器件是蓝宝石衬底MOCVD生
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据《信学技报》(日)2009年109(25)期报道,日本北海道大学量子集成电子研究中心通过电化学工艺来氧化GaN表面,并系统性测评其表面控制性。实验使用的器件是蓝宝石衬底MOCVD生长的不掺杂n-GaN、Mg掺杂p-GaN的Al-
According to “Letters Science and Technology” (Japan) 2009 109 (25) period report, Japan Hokkaido University quantum electronic research center by electrochemical oxidation of GaN surface, and the systematic evaluation of its surface control. The experimental devices used were M-GaN grown undoped n-GaN, Mg-doped p-GaN Al-
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