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[期刊论文] 作者：苏杰,刘彤,刘京明,杨俊,白永彪,沈桂英,董志远,王芳芳,赵有文,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
Undoped p-type Ga Sb single crystals were annealed at 550–600?C for 100 h in ambient antimony. The annealed Ga Sb samples were investigated by Hall effect meas...
[会议论文] 作者：赵有文;孙文荣;段满龙;董志远;胡炜杰;杨俊;张金利;王应利;刘刚;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。I...
[会议论文] 作者：赵有文;杨凤云;段满龙;孙文荣;董志远;杨俊;胡炜杰;刘刚;王俊;王应利;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
通过对液封直拉法热场和生长条件的优化控制,降低晶体生长过程所受的热应力,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,获得了高质量的2英寸和3英寸直径InP、Ga...
[期刊论文] 作者：陶东言,程雨,刘京明,苏杰,刘彤,杨凤云,王凤华,曹可慰,董志远,赵有文,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
The surface chemical properties of gallium antimonide(Ga Sb) after ammonium sulfide((NH4/2S) solution passivation have been studied by X-ray photoelectron spect...
[期刊论文] 作者：白永彪,赵有文,沈桂英,陈晓玉,刘京明,谢晖,董志远,杨俊,杨凤云,王凤华,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
Te-doped GaSb single crystals are studied by measuring Hall effect, infrared(IR) transmission and photoluminescence(PL) spectra. It is found that the n-type GaS...
[会议论文] 作者：赵有文,段满龙,孙文荣,杨子祥,焦景华,赵建群,董志远,曹慧梅,吕旭如,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
通过对磷化铟晶体中产生孪晶的机理和原因的研究分析,建立了一套适合(100)磷化铟单晶生长的热场系统,重复生长出掺硫和掺铁的整锭(100)磷化铟单晶.在此条件下生长的(100)磷化铟单晶具有低的位错密度和优异的电学均匀性.(100)磷化铟单晶生长的现象与Hurle关于孪......
[期刊论文] 作者：赵有文,段满龙,卢伟,杨俊,董志远,刘刚,高永亮,杨凤云,王风华,王俊,刘京明,谢辉,王应利,卢超,,
来源：人工晶体学报 年份：2017
采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm~(-2)。对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍...
[期刊论文] 作者：杨俊,段满龙,卢伟,刘刚,高永亮,董志远,王俊,杨凤云,王凤华,刘京明,谢辉,王应利,卢超,赵有文,,
来源：人工晶体学报 年份：2017
采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg,成晶率可达80%...
[会议论文] 作者：Manlong Duan,Youwen Zhao,Jun Yang,Gang Liu,Fenghua Wang,Yang Fengyun,Wei Lu,Zhiyuan Dong,Jun Wang,段满龙,赵有文,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
GaSb材料在制作长波长光纤通信器件、红外探测器和热光伏器件方面表现出了极大的潜力和良好的发展前景。本文报道了大直径(最大直径5英寸)GaSb单晶液封直拉法(LEc)生长结...
[会议论文] 作者：Manlong Duan,段满龙,赵有文,Youwen Zhao,Jun Yang,杨俊,Gang Liu,刘刚,Fenghua Wang,王凤华,Yang Fengyun,杨凤云,Wei Lu,卢伟,,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
GaSb材料在制作长波长光纤通信器件、红外探测器和热光伏器件方面表现出了极大的潜力和良好的发展前景。本文报道了大直径(最大直径5英寸)GaSb单晶液封直拉法(LEc)生长结果，所生长的单晶材料具有低位错密度(位错腐蚀坑密度低于3000cm-2)和优良的电学性能，获得了良......
[会议论文] 作者：赵有文,Youwen Zhao,Manlong Duan,段满龙,Zhiyuan Dong,董志远,Jun Yang,杨俊,Jun Wang,王俊,Liu Gang,刘刚,Fengyun Yang,杨凤云,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
随着新型光电子、红外探测器、毫米波器件等制造技术的快速发展,对标准尺寸的高质量InP,GaSb和InAs单晶衬底的市场需求不断增加。本文介绍了采用液封直拉法批量生长直径2-4英寸的InP、GaSb和InAs单晶以及单晶衬底制备技术的一些最新进展。通过热场优化、控制化......
[会议论文] 作者：赵有文[1]YouwenZhao[2]ManlongDuan[2]段满龙[1]ZhiyuanDong[2]董志远[1]JunYang[2]杨俊[1]JunWang[2]王俊[1]LiuGang[2]刘刚,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
随着新型光电子、红外探测器、毫米波器件等制造技术的快速发展,对标准尺寸的高质量InP,GaSb和InAs单晶衬底的市场需求不断增加。本文介绍了采用液封直拉法批量生长直径2...
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