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[期刊论文] 作者：赵有文,董宏伟,焦景华,赵建群,林兰英,孙聂枫,孙同年,
来源：半导体学报 年份：2004
对液封直拉(LEC)非掺磷化铟(InP)进行930℃ 80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘 (SI)衬底.退火是在密封的石英管内纯磷(PP)或磷化铁(IP)两种气氛下进行的.测试结果表...
[期刊论文] 作者：赵有文，吕小红，董志远，段满龙，孙文荣，ZhaoYouwen，LüXiaohong，DongZhiyuan，DuanManlong，SunWenrong,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：Kewei Cao,Youwen Zhao,Zhiyuan Dong,Feng Hui,曹可慰,赵有文,董志远,惠峰,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
随着高效多结太阳电池制造工艺的日益成熟和商业化应用，对制造电池所用的Ge单晶衬底质量要求日益提高。本文对VGF法生长的4寸Ge单晶衬底进行了电学性能、杂质含量、残余应...
[期刊论文] 作者：赵有文,董宏伟,焦景华,赵建群,林兰英,孙聂枫,孙同年,
来源：半导体学报 年份：2002
对液封直拉 (L EC)非掺磷化铟 (In P)进行 930℃ 80 h的退火可重复制备直径为 5 0和 75 mm的半绝缘 (SI)衬底 .退火是在密封的石英管内纯磷 (PP)或磷化铁 (IP)两种气氛下进行...
[会议论文] 作者：白永彪,赵有文,沈桂英,刘彤,刘京明,苏杰,曹可慰,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：沈桂英,赵有文,刘彤,刘京明,曹可慰,苏杰,白永彪,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[期刊论文] 作者：陈晓玉, 刘彤, 刘京明, 谢辉, 赵有文, 董志远, 马承红,,
来源：半导体光电 年份：2017
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[会议论文] 作者：Kewei Cao,曹可慰,Youwen Zhao,赵有文,Zhiyuan Dong,董志远,Feng Hui,惠峰,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
随着高效多结太阳电池制造工艺的日益成熟和商业化应用，对制造电池所用的Ge单晶衬底质量要求日益提高。本文对VGF法生长的4寸Ge单晶衬底进行了电学性能、杂质含量、残余应力以及晶格完整性等检测分析，并与LEC法生长的低位错Ge单晶衬底的结果进行了比较，分析了4寸Ge......
[期刊论文] 作者：陈燕,邓爱红,赵有文,张英杰,余鑫祥,喻菁,龙娟娟,周宇璐,,
来源：四川大学学报：自然科学版 年份：2010
本文针对磷化铁（FeP2）气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟（IPSI—InP）材料，应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术，研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况．研究发现，该材料经电子辐照后......
[期刊论文] 作者：孙聂枫,杨光耀,吴霞宛,曹立新,赵权,郭维廉,赵有文,孙同年,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
在未掺杂和掺Fe的LEC In中用FT IR测试到VInH4 的存在。已经证实该缺陷在LEC -InP中普遍存在。经研究表明在掺Fe的InP中的VInH4 浓度比在未掺杂中的高。而在同一晶锭中其浓度...
[会议论文] 作者：Jingming Liu,Youwen Zhao,Fenghua Wang,Fengyun Yang,刘京明,赵有文,王凤华,杨凤云,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
受抛光过程和环境沾污的影响,InP单晶衬底表面含有过高浓度的残留硅杂质。在外延器件中,硅杂质作为浅施主会在界面处形成n型导电层,增加器件的寄生电容,从而降低了器件运...
[期刊论文] 作者：孙聂枫,陈旭东,杨光耀,赵有文,谢德良,刘二海,刘思林,孙同年,
来源：半导体情报 年份：1999
原位磷注入合成 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长法可分别合成得到富铟、近化学配比或富磷的 Ｉｎ Ｐ熔体， 并进行 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长。我们对不同配比程度的材料进行了 Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ、 Ｐ Ｌ、变温 Ｈａｌｌ等测试工作， 得到了一些......
[期刊论文] 作者：李巍巍,赵有文,董志远,杨俊,胡炜杰,客建红,黄艳,高振华,,
来源：半导体学报 年份：2009
High concentrations of Si and Zn were implanted into (0001) AlN bulk crystal grown by the self-seeded physical vapor transport (PVT) method. Cathode luminescenc...
[会议论文] 作者：Jingming Liu,刘京明,Youwen Zhao,赵有文,Fenghua Wang,王凤华,Fengyun Yang,杨凤云,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
受抛光过程和环境沾污的影响,InP单晶衬底表面含有过高浓度的残留硅杂质。在外延器件中,硅杂质作为浅施主会在界面处形成n型导电层,增加器件的寄生电容,从而降低了器件运行速率。为进步提高半绝缘InP基器件的性能要求降低其表面的残留硅杂质浓度。通过对半绝缘I......
[期刊论文] 作者：赵有文,段满龙,孙文荣,杨子祥,焦景华,赵建群,曹慧梅,吕旭,
来源：人工晶体学报 年份：2003
通过对高压液封直拉法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析,研究适合生长(100)晶向磷化铟单晶的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率,重复地生长出...
[期刊论文] 作者：苏杰,刘彤,刘京明,杨俊,沈桂英,白永彪,董志远,赵有文,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
Beta-type gallium oxide(β-Ga_2O_3) is a new attractive material for optoelectronic devices. Different methods had been tried to grow high quality β-Ga_2O_3 cr...
[期刊论文] 作者：赵有文,段满龙,卢伟,杨俊,董志远,刘刚,高永亮,杨凤云,王,
来源：人工晶体学报 年份：2017
采用高压垂直温度梯度凝固法（VGF）生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径（100）In P单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm-2。对4 inch In P晶片上进行多点X-射线双晶衍射测...
[期刊论文] 作者：刘京明,刘彤,杨俊,陶东言,段满龙,董志远,赵有文,李百泉,
来源：材料科学与工程学报 年份：2015
商品氮化铝粉料中含有高浓度的氧、碳及金属杂质,需经过高温提纯处理后才能用于物理气相法氮化铝晶体生长.与感应加热相比,钨网电阻加热可有效避免碳、氧等的二次沾污,势必具...
[期刊论文] 作者：赵有文,段满龙,孙文荣,杨子祥,焦景华,赵建群,曹慧梅,吕旭如,
来源：人工晶体学报 年份：2003
通过对高压液封直拉法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析,研究适合生长(100)晶向磷化铟单晶的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率,重复地生长出...
[期刊论文] 作者：陈晓玉,刘彤,刘京明,谢辉,赵有文,董志远,马承红,和江变,
来源：半导体光电 年份：2017
p型单晶硅太阳电池在EL检测过程中, 部分电池片出现黑斑现象。结合X射线能谱分析(EDS), 对黑斑片与正常片进行对比分析, 发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同, 排除了镀膜及丝网印刷过程中产生黑斑的可能。利用X射线荧光光谱分析(XRF)测试了同一电......
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