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[期刊论文] 作者：姬成周,张通和,沈京华,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1990
高注量(>3×10~(17)cm~(-2))钛离子注入铝时,靶样品的温度明显地改变钛原子的浓度分布。靶温度超过400℃时,析出相为金属间化合物Al_3Ti。用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源注钛...
[期刊论文] 作者：何树声,张通和,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1986
一、前言在大规模集成电路的研究和生产过程中,砷离子注入技术得到了广泛的应用。因为砷的原子半径(较磷)更接近于硅,且有小于磷的扩散系数,更易形成浅结。在全离子注入的工...
[期刊论文] 作者：张通和,吴瑜光,罗晏,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1988
给出了As和P注入硅的电激活能与退火温度的关系.用这些结果和表示晶格去除率与退火温度的关系式,研究了损伤的晶格恢复和杂质电激活动力学,发现低剂量As注入硅,在退火过程中...
[期刊论文] 作者：张通和,吴瑜光,罗晏,
来源：电子学报 年份：1987
本文研究了当As~+通过SiO_2注入Si时,反冲注入高密度的氧在退火期间所引起的位锚网,以及位错网对As增强扩散的影响。给出了As增强扩散的分析模型,得到了用氧化层掩蔽作用获取...
[期刊论文] 作者：肖志松,程国安,张通和,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1999
用MEVVA离子源将Nd离子注入到单晶硅中形成了钕硅掺杂层，用XRD分析了掺杂居的物相，用AES分析了掺杂层中离子的浓度分布．分析表明，在强流钛离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成......
[会议论文] 作者：李岳,张勤,陶冶,张通和,
来源：2002年中国材料研讨会 年份：2002
用MEVVA(Metal Vapor Vacuum Arc)离子注入法对增强纤维进行表面处理,形成纳米尺寸的表面改性层,用表面纳米改性的纤维制作树脂基复合材料,并对纳米表面改性纤维增强树脂基复合材料的电磁学性能和吸波特性进行研究.研究表明:对增强纤维进行表面改性,可以有效改......
[期刊论文] 作者：张通和,吴瑜光,王晓妍,
来源：功能材料 年份：2001
首次研究了钨和碳双注入对抗磨损和抗腐蚀特性的影响,研究了抗磨损和抗腐蚀相生成的条件,以及这些相对抗磨损和抗腐蚀特性的作用,并对其改性机理进行了讨论.实验结果表明,钨...
[期刊论文] 作者：张通和,孙贵如,谢晋东,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1995
用俄歇、扫描电镜和微区分析研究了Ｙ注入低铬钢（Ｈ１３）抗氧化机理。注入适当量的Ｙ到钢中是提高Ｈ１３钢抗氧化性能的关键因素．注入和氧化过程中Ｃｒ向钇注入层下面富集则起到相辅相成的作用．观察到......
[期刊论文] 作者：张通和,吴瑜光,钱卫东,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：2001
利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)源所产生的强束流离子注入铝研究了相变、增强扩散和钇铝合金的形成条件.X射线衍射分析表明注入层有Al3Y和Al2O3出现.从背散射分析可以发现,Y原子...
[期刊论文] 作者：张通和,吴瑜光,易仲珍,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：2001
用多次扫描电位法研究了金属Mo和Ti与C离子双注入和2种元素注入的顺序对抗腐蚀特性的影响,研究了抗腐蚀纳米相生成的条件,首次观察到细丝状纳米碳化物镶嵌相的形成,以及这些...
[期刊论文] 作者：张通和,吴瑜光,王晓妍,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2001
研究了C+Mo+C注入结构和相变，用多重扫描电位法研究了其抗腐蚀特性，得出了抗腐蚀相生成的条件，以及这些相对抗腐蚀特性的作用，并对其改性机理进行了讨论.实验结果表明，在C+Mo+C双......
[期刊论文] 作者：吴瑜光,张通和,孙贵如,
来源：核技术 年份：1995
对高能磷离子注入硅、低剂量迭加注入硅，高能低能双注入硅中引起的晶格损伤、二次缺陷及退火效应进行了初步探讨。...
[期刊论文] 作者：吴瑜光,张通和,沈定予,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2000
采用MEVVA源引出的Cr离子对聚酯 (PET)薄膜进行了离子注入 ,引出的Cr离子具有多种电荷态 ,多种能量的Cr离子同时注入 ,其射程分布与单能离子注入的射程分布有明显的差别 .借...
[期刊论文] 作者：周固,张通和,马芙蓉,梁宏,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2000
选取质量差异很大的C ,W和C +W对钢进行离子注入 ,用TEM对注入样品横截面进行结构分析 .结果表明 :注入层结构发生了明显的变化 ,形成了纳米相镶嵌复合层 ,W注入复合层的厚度...
[会议论文] 作者：肖志松,易仲珍,张通和,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｌａ离子注入到单晶硅中形成掺杂层，用ＸＲＤ、ＳＥＭ分析了掺杂层的物相和表面形貌。分析表明在强流离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类与注入离子剂量、束流密度及后续......
[期刊论文] 作者：张通和,吴瑜光,罗晏,李晓明,
来源：微电子学与计算机 年份：1989
80keV As~+注入Si其剂量达5×10~(15)cm~(-2)时,用透射电子显微镜观察到,在硅中形成1000A的非晶层,在非晶层的下面分布着位错环。还研究了瞬态退火和热退火过程中非晶层的相...
[期刊论文] 作者：张通和,王文勋,贺令渝,
来源：核技术 年份：1990
研究了砷注入硅和砷通过SiO_2层注入硅的快速退火特性。给出了制备0.1—0.6μm的PN结最佳条件。用透射电子显微镜(TEM)观察了晶格损伤退火恢复过程,以及高密度缺陷演变过程,...
[期刊论文] 作者：张通和,李国辉,吴瑜光,
来源：核技术 年份：1988
本文研究了瞬态退火As注入Si的瞬态增强扩散模型。观察了增强扩散与剩余缺陷和晶格恢复之间的关系。用背散射技术测量了As浓度分布,用透射电镜观察了注入层剩余缺陷。发现在1...
[期刊论文] 作者：苏一,李毅,辛华,张通和,
来源：核技术 年份：1997
通过ＳＥＭ和ＳＩＭＳ检测到了离子注入以后绿豆种胚内部的铜元素和钛元素的浓度随深度的分布和形貌变化。说明离子注入诱发突变是带电粒子直接作用的结果。The concentrations of copper......
[期刊论文] 作者：YANG Jian-Hua(杨建华),ZHANG Tong-He(张通和),
来源：中国物理快报(英文版) 年份：2003
Pulsed molybdenum ion beams extracted from a metal vapour vacuum arc ion source at voltage of 25kV or 48kV were implanted into H13 steel with a high implantatio...
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