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[期刊论文] 作者：赵有文,孙文荣,段满龙,董志远,杨子祥,吕旭如,
来源：半导体学报 年份：2004
利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析了...
[期刊论文] 作者：毛卫东,王少阶,王柱,孙聂枫,孙同年,赵有文,,
来源：武汉大学学报(自然科学版) 年份：2004
在10～300 K 的温度范围内,测量了用液封直拉法(LEC)生长的n-InP经高温退火后形成的未掺杂SI-InP 晶体的正电子寿命谱. 用PATFIT和MELT两种技术分析了正电子寿命谱. 常温下的结...
[会议论文] 作者：杨俊,段满龙,董志远,刘刚,杨凤云,赵有文,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
通过改进热场和单晶生长技术，利用液封直拉法(LEC)生长了直径3英寸晶向的InAs单晶。对晶体进行了霍尔测试(Hall)、X射线双晶衍射晶体的完整性分析以及晶体的位错密度(EPD)...
[会议论文] 作者：胡炜杰,赵有文,孙文荣,段满龙,董志远,杨俊,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
非有意掺杂InAs单晶均呈N型电导,自由电子浓度可达3×1016cm-3以上。有关非掺InAs单晶中的施主杂质、缺陷及其产生规律的尚不清楚。本文利用辉光放电质谱(GDMS)定量分析了LEC...
[期刊论文] 作者：胡炜杰,赵有文,孙文荣,段满龙,董志远,杨俊,,
来源：半导体学报 年份：2010
Impurities and their influence on the properties of InAs single crystals have been studied by combining the results of glow discharge mass spectrometry(GDMS),Ha...
[期刊论文] 作者：赵有文,罗以琳,孙聂枫,冯汉源,孙同年,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2002
利用变温霍尔和电流 -电压特性 (I- V)两种方法分别对半导体和半绝缘的退火非掺磷化铟材料进行了测量 .在非掺退火后的半导体磷化铟样品中可以测到缺陷带电导 ,这与自由电子...
[期刊论文] 作者：李巍巍,赵有文,董志远,杨俊,胡炜杰,客建红,,
来源：半导体学报 年份：2009
The defects and the lattice perfection of an AlN(0001) single crystal grown by the physical vapor trans-port(PVT) method were investigated by wet etching, X-ray...
[期刊论文] 作者：董宏伟,赵有文,焦景华,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：科学通报 年份：2002
过去的几年中,由于1.31和1.55 μm波长半导体激光器在光纤通信领域得到了广泛的应用。磷化锢(InP)衬底材料的研究和规模化生产因此受到了极大的推动,并已逐步成为继硅(Si)和...
[期刊论文] 作者：陈燕, 邓爱红, 赵有文, 张英杰, 余鑫祥, 喻菁, 龙娟,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：2010
本文针对磷化铁（FeP2）气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟（IP SI-InP）材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐......
[期刊论文] 作者：赵有文,罗以琳,孙聂枫,冯汉源,C.D.Beling,孙同年,林兰英,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2002
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：赵有文,苗杉杉,董志远,吕小红,邓爱红,杨俊,王博,,
来源：物理学报 年份：2007
高温退火后掺铁半绝缘(SI)InP单晶转变为n型低阻材料.利用霍尔效应(Hall),热激电流谱(TSC),深能级瞬态谱(DLTS),X射线衍射等方法分别研究了退火前后InP材料的性质和缺陷.结果...
[会议论文] 作者：董宏伟,赵有文,焦景华,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文讨论了掺杂元素及其浓度的变化对磷化铟(InP)晶格常数带来的影响,并说明这种变化实际意义.研究结果表明:InP晶格大小变化的主要原因是由于掺杂元素的四面体共价半径不同...
[期刊论文] 作者：陈燕, 邓爱红, 赵有文, 张英杰, 余鑫祥, 喻菁, 龙娟娟,,
来源：四川大学学报(自然科学版 年份：2010
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[期刊论文] 作者：赵有文, 孙文荣, 段满龙, 董志远, 杨子祥, 吕旭如, 王应,
来源：半导体学报 年份：2006
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[期刊论文] 作者：赵有文, 董志远, 段满龙, 孙文荣, 杨子祥, 吕旭如, 王应,
来源：人工晶体学报 年份：2004
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[期刊论文] 作者：程雨,刘京明,刘彤,苏杰,杨凤云,董志远,赵有文,,
来源：半导体光电 年份：2015
对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面极为粗糙;有极性的(111)GaSb晶面由于Ga—Sb...
[期刊论文] 作者：程雨,刘京明,苏杰,刘彤,杨凤云,董志远,赵有文,,
来源：半导体光电 年份：2016
对不同条件下制备的锑化镓抛光晶片表面进行了TOF-SIMS测试比较。结果表明使用体积比为5∶1的HCl与CH_3COOH的混合溶液清洗腐蚀(100)GaSb晶片表面,可以有效地去除金属离子、...
[期刊论文] 作者：赵有文, 段满龙, 卢伟, 杨俊, 董志远, 刘刚, 高永亮,,
来源：人工晶体学报 年份：2017
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[期刊论文] 作者：赵有文,董志远,段满龙,孙文荣,杨子祥,吕旭如,王应利,
来源：人工晶体学报 年份：2004
在不同的化学配比条件下制备了半绝缘磷化铟材料,其中包括配比和富铟熔体中的铁掺杂以及磷气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂晶片.在这些半绝缘磷化铟材料中检测到了与非化学...
[期刊论文] 作者：赵有文,孙文荣,段满龙,董志远,杨子祥,吕旭如,王应利,,
来源：半导体学报 年份：2006
利用液封直拉法（LEC）生长了直径50mm〈100〉和（111〉晶向的InAs单晶．分析研究了n型杂质Sn，S和p型杂质Zn，Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等．利用X射线双晶衍射分析了晶体的完......
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