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[期刊论文] 作者：余山,陈达,张燕文,黄敞,
来源：电子学报 年份：1994
对溶亚微米器件，由于工作电压下降，要求重新确定ＬＤＤ和常规ＭＯＳＦＥＴ在ＶＬＳＩ中的作用。本文从基本器件数理方程发出，对深亚微米常规及ＬＤＤ ＭＯＳＦＥＴ的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模......
[期刊论文] 作者：何树声,张通和,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1986
一、前言在大规模集成电路的研究和生产过程中,砷离子注入技术得到了广泛的应用。因为砷的原子半径(较磷)更接近于硅,且有小于磷的扩散系数,更易形成浅结。在全离子注入的工...
[期刊论文] 作者：许曙明,章定康,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1989
本文比较了标准氧化法,低温氧化、高温退火的两步氧化法及中间退火的两步HCl氧化法的优缺点,从而提出了三步HCl氢化的方法。采用此种方法所制得的氧化膜耐压有所提高,界面态...
[期刊论文] 作者：湾福祥,章定康,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1991
本文详细分析了影响制备高质量超薄SiO_2介质的主要因素,找到了制备超薄SiO_2介质的较佳工艺,即中间退火氩气稀释氯化氢氧化法,用该方法制备的100～120(?)超薄SiO_2介质平均击...
[期刊论文] 作者：石涌泉,张兴,路泉,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1995
本文简要地介绍了３μｍＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列的设计和制作技术。利用３００门门阵列母片成功地实现了容错计算机系统专用总线输出选择逻辑电路ＳＥＬ。其性能达到了用户要求，平均单级门延迟时间为２．６ｎｓ，输出驱动电......
[期刊论文] 作者：林绪伦,黄敞,徐炳华,
来源：物理学报 年份：1964
本文讨论了:(1)用阳极氧化法在硅片表面去层的技术;(2)用四探针测量扩散层面电导的方法;(3)用阳极氧化去层及四探针测量面电导方法求得扩散层精细杂质分布。 文中着重讨论了...
[期刊论文] 作者：马光悌,贾淑文,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1986
在大规模集成电路的研制与生产中,其负载电阻阻值的准确性,关系到电路功能正确与否。本文研究了多晶硅电阻值的控制问题。用多晶硅制作电阻,一般会遇到以下几个问题: (1)掺...
[期刊论文] 作者：陈南翔,石涌泉,王忠烈,黄敞,
来源：半导体学报 年份：1990
通过大剂量氧离子注入(150key,2×10~(18)O~+/cm~2)及高温退火(1100℃,8h)便可形成质量较好的SIMOX结构。本文报道了制备在硅膜厚度为160nm的SIMOX结构上的短沟道CMOS/SI...
[期刊论文] 作者：许军,周文益,刘佑宝,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
本文提出了一种台面型全自对准结构ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的制造方案，对其中的欧姆接触金属系统的制备，ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ材料的选择性腐蚀及聚酰亚胺的反应离子刻蚀终点监控等关键工艺技术进行了研究，并给出了应用该工......
[期刊论文] 作者：徐大林,李荫波,王方,黄敞,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
对重掺多晶氧化法(HDPO)应用于LDD IC中的工艺条件进行了优化,并实现了HDPO-LDD电路.研究了HDPO-LDD器件的性能和热载流子效应,同时对器件进行计算机模拟,对HDPO-LDD进行优化...
[期刊论文] 作者：周文益,许军,刘佑宝,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
采用将发射区体内复合及表面复合归一化为载流子寿命变化的方法，用一维模拟程序，能简便地研究发射区复合对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｌＨＢＴ特性的影响，计算结果表明，发射区载流了寿命的变化几乎不影响注入到基区......
[期刊论文] 作者：陈南翔,苗伟,王忠烈,黄敞,
来源：半导体学报 年份：1989
本文利用背散射分析技术、扩展电阻测量、高能电子衍射及超高压透射电镜研究了注氧后埋SiO_2层的形成过程以及顶部剩余硅的退火行为,通过沟道背散射分析技术与霍尔测量,给出...
[期刊论文] 作者：边江,刘佑宝,卢英华,黄敞,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
本文研究了注砷多晶硅发射区双极电路的硼离子注入区的退火特性。实验表明,在退火温度及时间相同的条件下,O_2气氛退火的注硼p-n结特性优于N_2气氛退火的p-n结特性In this...
[期刊论文] 作者：陈南翔,石涌泉,王忠烈,黄敞,
来源：半导体学报 年份：1990
通过大剂量氧离子注入(150key,2×10~(18)O~+/cm~2)及高温退火(1100℃,8h)便可形成质量较好的SIMOX结构。本文报道了制备在硅膜厚度为160nm的SIMOX结构上的短沟道CMOS/SIMOX...
[期刊论文] 作者：边江,刘佑宝,卢英华,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1986
本文叙述了在注砷多晶硅发射区、注硼基区、深磷扩散收集区等工艺研究和器件特性分析的基础上,研制出达到设计参数标准的D.I.2902电路的过程。This paper describes the pr...
[期刊论文] 作者：肖硕,路泉,赵元富,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1987
目前短沟道CMOS 环振的瞬态分析和模拟不能令人满意,对于长沟道CMOS 环振通常用SPICE 进行模拟,在短沟道情况下则需要对器件模型和参数进行修正。使用载流子总量方法进行模...
[期刊论文] 作者：彭忠献, 王方, 李荫波, 黄敞,,
来源：微电子学与计算机 年份：1990
本文介绍一种深U型槽隔离CMOS工艺技术,对工艺实施中的若干问题进行了讨论,并对器件特性进行了分析。...
[期刊论文] 作者：章定康,余山,孙有民,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
采用多次离子注入来调整亚微米CMOS的NMOS和PMOS管的阈值电压是研究亚微米CMOS电路的关键.浅离子注入调节表面掺杂浓度以达到调整阈值电压的目的.深离子注入调整源漏穿通电压...
[期刊论文] 作者：章定康,余山,孙有民,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
本文研究了用溅射钛和快速退火法与硅反应形成硅化钛的工艺,二氧化硅侧墙轻掺杂漏结构的CMOS工艺加上该工艺后,器件的阈值电压、源漏击穿电压没有明显变化,但使CMOS的栅电阻...
[期刊论文] 作者：邓祥丰,吴思浩,黄敞,王玲玲,
来源：热带农业科技 年份：2021
机械化采胶是天然橡胶产业的迫切需求,本文提出采胶机械的农机农艺融合发展思路,阐述天然橡胶收获机械与农艺融合的必要性,总结了天然橡胶收获环节对农机农艺的需求,包括橡胶...
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