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[期刊论文] 作者:李牧菊,杨柏梁,朱永福,刘传珍,袁剑峰,吴渊,廖燕平, 来源:液晶与显示 年份:1999
建立了a-SiTFTAMLCD的等效电路模型,综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容构成的RC(ResistivityCapacitance)常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖......
[期刊论文] 作者:杨柏梁,郭丽,任淑萍,张桂英,李鹏,肖博晗,刘雅娟,, 来源:中国公共卫生 年份:2009
目的体外诱导骨髓间充质干细胞(mesenchymal stem cells,MSCs)分化为胰岛样细胞,用于干预治疗糖尿病大鼠。方法取周龄大鼠骨髓细胞,进行MSC培养纯化扩增,用bFGF、胰岛素等培...
[期刊论文] 作者:刘传珍,杨柏梁,李牧菊,朱永福,袁剑峰,寥燕平,吴渊,黄锡珉, 来源:液晶与显示 年份:1999
建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型.利用TFT的线性近似和Elmore模型,计算了周边驱动电路中的信号失真,讨论了栅延迟与金属栅电极材料的关系及对TF...
[期刊论文] 作者:刘传珍,杨柏梁,李牧菊,朱永福,袁剑峰,寥燕平,吴渊,黄锡珉, 来源:液晶与显示 年份:1999
建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型。利用 T F T 的线性近似和 Elm ore 模型, 计算了周边驱动电路中的信号失真, 讨论了栅延迟与金属栅电极材料的关系及对 T......
[期刊论文] 作者:王大海,杨柏梁,吴渊,刘传珍,李牧菊,李轶华,张玉,廖燕平, 来源:液晶与显示 年份:2000
利用磁控溅射的方法制备了 Cr、Ta、Al、Mo、Mo W等金属薄膜 ,采用 XRD、SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对...
[期刊论文] 作者:刘传珍,杨柏梁,李牧菊,吴渊,张玉,李轶华,邱法斌,黄锡珉, 来源:液晶与显示 年份:2000
利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜,采用XRD、SEM等分析手段,进行了表征与分析,对晶化的阈值能量密度进行了计算,并对激光退火的机理进行了探讨。研究结果表明:a-Si晶化的阈值能量密......
[期刊论文] 作者:朱永福,李牧菊,杨柏梁,刘传珍,廖燕平,袁剑锋,刘雅言,申德振, 来源:液晶与显示 年份:1999
利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积(PECVD)方法淀积的a-SiNx:H薄膜。分析了气体流量比(R)、衬底温度(Ts)以及射频功率(P(rf))的变化对a-SiNx:H薄膜中SiH、NH和NH2基团的吸收峰强度的影响,同时研究了退火条件对a-SiNx:H薄膜......
[期刊论文] 作者:刘传珍,杨柏梁,朱永福,李牧菊,袁剑峰,王刚,吴渊,刘洪武,黄锡珉, 来源:液晶与显示 年份:1999
介绍了薄膜晶体管(TFT),特别是p-Si(多晶硅)TFT矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性,对器件参数的选择进行了分析The working principle, structure, characteri......
[期刊论文] 作者:袁剑峰,杨柏梁,朱永福,李牧菊,刘传珍,吴渊,廖燕平,王刚,邵喜, 来源:液晶与显示 年份:2020
[期刊论文] 作者:刘传珍,杨柏梁,袁剑峰,李牧菊,吴渊,寥燕平,张玉,王大海,黄锡珉, 来源:半导体学报 年份:2001
利用金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/ Ni的低温晶化 ,MIC晶化温度能降低到 44 0℃ .采用 XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了 Ni-...
[期刊论文] 作者:梁兆颜,闫石,宣丽,杨柏梁,黄锡珉,谢景力,张彦杰,赵英英,张金宝, 来源:液晶与显示 年份:1999
研究了紫外光聚合物材料PV4的化学性质;采用偏光显微照相技术,研究厂这种材料膜对液晶LC-6710A的取向能力;用原子力显微镜(AFM),研究了光聚合前后聚合物取向膜微观形貌的变化;测最了这种材料引起的......
[期刊论文] 作者:刘利则,高雷,邓小明,吴东辉,王春萍,赵丽丽,张瑾,刘阔,杨柏梁,邹允庚,刘志刚,, 来源:中国骨质疏松杂志 年份:2011
目的通过测定所得骨矿含量数值更好的评估骨强度,监测骨质疏松的发生、发展,提高高危患者骨折风险识别能力。方法选取吉林省2375例50—89岁体检者运用美国OSTEOMETER DTX200...
[期刊论文] 作者:刘传珍,杨柏梁,张玉,李牧菊,吴渊,廖燕平,王大海,邱法斌,李轶华,黄锡珉, 来源:液晶与显示 年份:2000
利用金属诱导晶化 (Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/Ni的低温晶化 ,MIC的晶化温度降低到 440℃。采用 XRD、Raman、SEM和 XPS等手段研究了 Ni-MIC多...
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