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[期刊论文] 作者：谢自力,邱凯,尹志军,方小华,王向武,陈堂胜,
来源：电子器件 年份：2000
用分子束外延技术生长了 In Ga As/Ga As异质结材料 ,并用 HALL效应法和电化学 C- V分布研究其特性。讨论了 In Ga As/Ga As宜质结杨效应晶体管 ( HFET)的优越性。和 Ga As M...
[期刊论文] 作者：方小华,谢一辉,姚冬琴,何敏,龚千锋,张金莲,,
来源：中国实验方剂学杂志 年份：2012
目的:探讨不同发酵时间对樟帮枳壳饮片质量的影响。方法:以不同发酵时间樟帮枳壳饮片为研究对象,用照相机和Adobe Photoshop软件获取各饮片色泽的基本信息,采用HPLC测定饮片...
[期刊论文] 作者：何菊英,朱忠勇,林云鹏,方小华,仵乾玉(审校者),
来源：中华血液学杂志 年份：1991
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[期刊论文] 作者：邱凯,尹志军,谢自力,方小华,王向武,将朝晖,陈建炉,
来源：电子器件 年份：2001
我们对PHEMT材料中应变沟道InGaAs层生长条件进行了优化,并采用了LT-GaAs中缺陷扩散的阻挡层.功率PHEMT器件结果为在栅长Lg=1.0μ时,跨导g-m≥400 ms/mm,BV-{DS}>1 5V,BV-{GS...
[期刊论文] 作者：邱凯,尹志军,谢自力,方小华,王向武,将朝晖,陈建炉,
来源：电子器件 年份：2001
我们对 PHEMT材料中应变沟道 In Ga As层生长条件进行了优化 ,并采用了 LT-Ga As中缺陷扩散的阻挡层。功率 PHEMT器件结果为在栅长 Lg=1 .0 μ时 ,跨导 gm≥ 4 0 0ms/ mm,BVD...
[会议论文] 作者：邱凯,尹志军,谢自力,方小华,王向武,将朝晖,陈建炉,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
GaAs是PHEMT材料的有源区是由应变InGaAs层构成,其沟道中电子的平均饱和速度和电子浓度均随铟组份的变化而变化,然后,随着铟组份的提高,会引起器件性能的退化.本文使用LT-GaAs层作为器件的缓冲层,并且优化了应变InGaAs沟道的生长条件,生长出性能良好的PHEMT材料......
[期刊论文] 作者：谢自力, 邱凯, 尹志军, 方小华, 陈建炉, 王向武, 陈堂胜,
来源：微纳电子技术 年份：2002
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[期刊论文] 作者：谢自力,邱凯,尹志军,方小华,陈建炉,王向武,陈堂胜,高建峰,
来源：微纳电子技术 年份：2002
概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果。...
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