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[期刊论文] 作者：张玉明,张义门,罗晋生,
来源：电子学报 年份：1998
本文报道了一个在较宽温度范围内能精确描述6HSiCJEFT性能（包括亚阈区）的器件模型，器件的电流电压特性由包含少数几个物理模型参数连续统一的解析表达式表述该模型也包括了串联......
[期刊论文] 作者：尚也淳,张义门,张玉明,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2001
提出了一种综合的SiC反型层库仑散射解析模型，并在模型中考虑了库仑电荷中心的相关性．对6H-SiC反型层电子迁移率进行了单电子MonteCarlo模拟，模拟结果和实验值相符．模拟结果表明，......
[期刊论文] 作者：吕红亮,张义门,张玉明,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2003
基于4H-SiC材料参数,同时考虑雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,建立了一套新型击穿解析模型.模型中首次考虑了雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,能够反映温度、掺杂浓度等参数对器件击...
[期刊论文] 作者：张艺蒙,张玉明,张义门,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2015
为降低传感器网络节点的功耗,针对传感器网络应用中传感器节点休眠时间的功耗进行了分析,得出当传感器节点处于休眠状态时,其大部分功耗都是由实时计数器消耗的结论,并提出一...
[期刊论文] 作者：吕红亮,张义门,张玉明,
来源：物理学报 年份：2003
基于 4H SiC材料特性 ,建立了 4H SiCpn结型二极管的击穿模型 .该模型在碳化硅器件中引入雪崩倍增效应和隧穿效应 .利用该模型 ,分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响 ;解释了...
[期刊论文] 作者：尚也淳,张义门,张玉明,
来源：电子与信息学报 年份：2001
分析和模拟了SiC JFET在高温下出现的栅电流。模拟结果反映出在温度高于700K以后栅电流对SiC JFET的影响将越来越显著,在此基础上该文建立起了一个6H-SiC JFET的高温模型。模型中采用了SiC的两极电离杂质模型和Caughey-Thomas方程。在300-773K的温度范围内,模型......
[期刊论文] 作者：尚也淳,张义门,张玉明,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2001
在研究SiC MOS表面空间电荷区杂质不完全离化的过程中引入了Frenkel-Pool效应,并建立了在电场作用下SiC杂质离化的新模型.基于对一维Poisson方程的求解,分析了场致离化对SiC...
[期刊论文] 作者：王守国,张义门,张玉明,
来源：半导体学报 年份：2003
考虑离子注入沟道和沟道深度的影响，提出了精确的离子注入4H—SiC MESFET器件夹断电压的理论计算方法．注入浓度由蒙特卡罗模拟软件TRIM提取计算．研究了温度、外延层受主浓度、注......
[期刊论文] 作者：张玉明,罗晋生,张义门,
来源：半导体学报 年份：1997
本文报道了采用Ａｕ／ＮｉＣｒ在ｎ型６Ｈ＝ＳｉＣ体上制备欧姆接触的实验结果，依次蒸发ＮｉＣｒ合金（重量百分比为８０％Ｎ：２０％Ｃｒ）和金层，高温退火后形成欧姆接触，用改进的四探针法测得最小比接触电阻ｐｃ为８．４×１０＾－５Ω．ｃｍ＾２，达到了应用的要求。......
[期刊论文] 作者：郜锦侠,张义门,张玉明,
来源：半导体学报 年份：2004
研制了4H-SiC热氧化生长氧化层埋沟nMOSFET，用室温下N离子注入的方法形成埋沟区和源漏区，然后在1600℃进行激活退火，离子注入所得到的埋沟区深度大约为0．2μm，从转移特性提取出来......
[期刊论文] 作者：苗永斌,张玉明,张义门,
来源：微电子学 年份：2004
碳化硅MPS(Merged PiN Schottky diode)具有很好的开关特性,并具有PiN二极管高阻断电压、低漏电流和SBD小开启电压,大导通电流以及高开关速度的优点,是最有希望的新一代功率...
[期刊论文] 作者：曹全君,张义门,张玉明,,
来源：电子器件 年份：2007
提出了一种基于器件物理和结构参数并可直接应用于射频电路CAD工具的4H-SiC MESFET大信号解析模型.大信号模型基于4H-SiC MESFET的物理工作机理,源漏电流模型采用Materka的改...
[期刊论文] 作者：郜锦侠,张义门,张玉明,,
来源：半导体学报 年份：2006
用数值和解析的方法研究了SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下C-V特性的畸变.隐埋沟道MOSFET中存在一个pn结,在沟道夹断以后,半导体表面耗尽区和pn结耗尽区连在一起,这时总的表面...
[期刊论文] 作者：郜锦侠,张义门,张玉明,
来源：半导体学报 年份：2004
在考虑源漏串联电阻的基础上，建立了～组适用于SiC PMOSFET的解析模型．计算结果与实验结果符合得很好．...
[期刊论文] 作者：尚也淳,张义门,张玉明,
来源：半导体学报 年份：2001
在分析SiC中杂质分离化时，考虑了Frenkel-Pool效应，通过求解SiC MOS表面空间电荷区中的一维Poisson方程，提出了一个新的SiC MOSFET反型层薄层电荷（charge-sheet)数值模拟，对SiC中...
[期刊论文] 作者：郜锦侠,张义门,张玉明,
来源：半导体学报 年份：2006
研究了几种因素对4H—SiC隐埋沟道MOSFET沟道迁移率的影响．提出了一个简单的模型用来定量分析串联电阻对迁移率的影响．串联电阻不仅会使迁移率降低，还会使峰值场效应迁移率所对......
[期刊论文] 作者：曹全君,张义门,张玉明,
来源：电子科技 年份：2005
提出了一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法.该方法基于4H-SiC MESFET的物理参数和结构参数,采用MEDICI的小信号正弦稳态分析法和高频小信号等效电路,模拟得到电...
[期刊论文] 作者：尚也淳,张义门,张玉明,
来源：电子学报 年份：2001
用单电子MonteCarlo方法对6H-SiC反型层的电子迁移率进行了模拟，在模拟中采用了一种新的综合的库仑散射的模型，该模型考虑了栅氧化层电荷、界面态电荷、沟道电离杂质电荷的作用...
[期刊论文] 作者：张玉明,张义门,罗晋生,
来源：应用科学学报 年份：1997
采用流体动力学输运模型详细分析了发射区ＰＮ结偏移对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件性能的影响，提出了器件优化设计的原则，在等和小的偏压下为了提高，β，ＰＮ结应向宽禁带层偏移，而为了得到大电流下的大电流放大倍......
[期刊论文] 作者：王守国,张义门,张玉明,
来源：电子科技大学学报 年份：2003
用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层.注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量,得到氮...
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