【摘 要】
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用单电子MonteCarlo方法对6H-SiC反型层的电子迁移率进行了模拟，在模拟中采用了一种新的综合的库仑散射的模型，该模型考虑了栅氧化层电荷、界面态电荷、沟道电离杂质电荷的作用
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用单电子MonteCarlo方法对6H-SiC反型层的电子迁移率进行了模拟，在模拟中采用了一种新的综合的库仑散射的模型，该模型考虑了栅氧化层电荷、界面态电荷、沟道电离杂质电荷的作用以及它们之间的相关性.MonteCarlo模拟的结果表明，当表面有效横向电场高于1.5×105V/cm时，表面粗糙散射在SiC反型层中起主要作用，而当有效横向电场小于该值时，沟道散射以库仑散射为主.
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