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[期刊论文] 作者：刘玉荣,李观启,黄美浅,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：2003
在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH4和O2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO2薄膜.用红外光谱分析发现,薄膜中未出现与Si-H、Si-OH相应...
[会议论文] 作者：林晓玲,黄美浅,章晓文,
来源：2003第十届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2003
介绍了评价热载流子注入效应的加速寿命试验,以漏极饱和电流ΔIdsat=10％为失效判据,对该工艺线的热载流子注入效应进行了评价.整个测试过程由程序控制,设备精度高,使用简便,适...
[期刊论文] 作者：曾绍鸿,黄美浅,李观启,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：1995
在制造硅ｎｐｎ型高频、超高频小功率晶体管管芯和形成铝电极后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大晶体管的直、交流电流放大系数，提高特征频率和使击穿特性变硬。实验结果表明......
[期刊论文] 作者：李观启,黄美浅,刘百勇,
来源：半导体技术 年份：1990
本文提出了一种低分压的湿-干氧氧化方法。利用该方法生长的薄氧化膜,具有比干氧氧化低的缺陷密度和优越的电击穿特性,而且固定电荷密度基本不变或稍有降低。实验结果表明,在...
[期刊论文] 作者：黄美浅,李观启,刘百勇,,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：1991
本文提出的用 O_2/N_2进行中间氧化(退火)的两步热氮化工艺,能将 SiO_xN_y-Si 系统的界面态密度和固定电荷密度减少到可与干氧氧化膜相比拟的程度,且保持了 SiO_xN_y 膜优异...
[期刊论文] 作者：李观启,黄美浅,刘百勇,,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：1990
本文研究中间退火处理对薄SiO_2膜电击穿特性和高频电容-电压特性的影响。结果表明,在温度θ=950～1100℃和时间t=0～90分钟范围内,薄SiO_2膜的缺陷密度和固定电荷密度随中间退火...
[期刊论文] 作者：李观启,曾绍鸿,黄美浅,
来源：半导体学报 年份：1996
在完成硅平面晶体管管芯和上部电极制备后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大高频和超高频小功率晶体管的电流放大系数，提高特征频率、功率增益和输入阻抗，减小噪声系数和......
[会议论文] 作者：朱炜玲,黄美浅,章晓文,
来源：中国电子学会可靠性分会第十一届学术年会 年份：2002
本文从热载流子效应引起器件特性退化角度出发,对几种不同沟长n沟MOSFET的主要特性参数(线性区最大跨导)在直流电应力下的退化特性进行了测试与分析比较,还从热载流子效应机理对器件退化模式进行了解释.......
[期刊论文] 作者：李斌,李观启,黄美浅,曾绍鸿,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2002
通过离子束溅射技术淀积在SiO2/Si衬底上的钛酸镧钡铌膜(Ba1-xLaxNbyTi1-yO3),制成集薄膜电阻和金属-绝缘体-半导体(MIS)电容为一体的传感器.实验结果表明,薄膜电阻在303～673...
[期刊论文] 作者：黄美浅,李观启,李斌,曾绍鸿,
来源：半导体学报 年份：2003
研究了低能量背面Ar+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响 .用低能量 ( 5 5 0eV)的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面 ,能改善其饱和区和线性区的低频噪声频谱密度 .饱和区低频噪声...
[期刊论文] 作者：李斌,李观启,黄美浅,曾绍鸿,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：2002
通过离子束溅射技术淀积在SiO2 /Si衬底上的钛酸镧钡铌膜 (Ba1-xLaxNbyTi1- yO3) ,制成集薄膜电阻和金属 -绝缘体 -半导体 (MIS)电容为一体的传感器 .实验结果表明 ,薄膜电阻...
[期刊论文] 作者：李斌,李观启,黄美浅,刘玉荣,陈平,
来源：电子元件与材料 年份：2004
利用氩离子束溅射技术,分别在SiO2/Si衬底上淀积了0.5 μm、1μm和2μm的Ba1-xLaxNbyTi1-yO3薄膜,并探讨了薄膜厚度对MIS电容湿敏特性的影响以及薄膜厚度对薄膜电阻的光敏和...
[期刊论文] 作者：朱炜容,黄云,黄美浅,钮利荣,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2005
进行GaAs MESFET的热电子应力试验,在24V≤VDS≤28V,-5.5V≤VCS≤-4 V的应力条件下,热电子效应将导致GaAs MESFET直流参数的严重退化.退化模式主要表现为饱和漏电流IDSS减小,...
[期刊论文] 作者：刘玉荣,左青云,彭俊彪,黄美浅,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2010
为提高聚合物薄膜晶体管的稳定性,以单晶硅为衬底,二氧化硅为栅介质层,聚3-己基噻吩（P3HT）薄膜为半导体活性层,金属Au为源、漏电极,制备出聚合物薄膜晶体管（PTFT）,对该器件的电特......
[期刊论文] 作者：陈平,黄美浅,李观启,李斌,陈蒲生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡薄膜,并在氧气中进行不同条件的退火处理,然后蒸铝及利用光刻技术制作铝电极而形成MIOS电容结构...
[期刊论文] 作者：李斌,李观启,黄美浅,刘玉荣,陈平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
对三种二氧化硅层厚度(10 nm、25 nm、40 nm)的器件进行测试,研究二氧化硅层的厚度对Ba1-xLaxTiO3多功能传感器敏感特性的影响.结果表明,对于MIS电容传感器,氧化层越薄,湿敏...
[期刊论文] 作者：李观启,钟平,黄美浅,曾绍鸿,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：1995
在室温下用低能量Ａｒ＋轰击ＭＯＳ电容器背面，能改善ＳｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平......
[期刊论文] 作者：王建明,李观启,关中亿,黄美浅,
来源：半导体技术 年份：1991
本文介绍了利用俄歇电子能谱、X射线光电子谱和紫外光电子谱,对Si/Co/Si系统的固相反应形成物的组分、化学相和电子结构进行研究的结果。In this paper, the composition,...
[期刊论文] 作者：王建明,李观启,关中凡,黄美浅,,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：1990
利用离子束镀膜技术,在非超高真空(1.33×10~(-3)Pa)下,采用离子束清洗衬底表面和对衬底加热的辅助方法,在单晶Si衬底上淀积Co薄层,再在Co层上淀积Si保护层,然后在570—680℃...
[期刊论文] 作者：郭志友,黄钊洪,李观启,黄美浅,
来源：应用光学 年份：2002
介绍硅衬底的半导体陶瓷材料钛酸镧锶 (Sr1-x Lax Ti O3 )光湿敏元件的工作原理及结构 ,MIS结构元件的光湿敏特性参数和曲线。利用光湿敏元件研制成光湿敏传感器和测量仪 ,智能光湿敏测量仪具有软件湿度补偿、智能判断声光报警等特性。......
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