GaAs MESFET的热电子应力退化

来源 :电子产品可靠性与环境试验 | 被引量 : 0次 | 上传用户：caicai432111

【摘要】

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进行GaAs MESFET的热电子应力试验,在24V≤VDS≤28V,-5.5V≤VCS≤-4 V的应力条件下,热电子效应将导致GaAs MESFET直流参数的严重退化.退化模式主要表现为饱和漏电流IDSS减小,

【作者】

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朱炜容黄云黄美浅钮利荣

【机构】

：

华南理工大学物理科学与技术学院,信息产业部电子第五研究所,华南理工大学物理科学与技术学院,南京电子器件研究所

【出处】

：

电子产品可靠性与环境试验

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

：

砷化镓金属-半导体场效应晶体管热电子效应界面态退化 GaAs MESFET hot electron interface states degrad

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进行GaAs MESFET的热电子应力试验,在24V≤VDS≤28V,-5.5V≤VCS≤-4 V的应力条件下,热电子效应将导致GaAs MESFET直流参数的严重退化.退化模式主要表现为饱和漏电流IDSS减小,跨导gm减小,夹断电压V.增大,击穿电压增大.从微波性能方面来看,热电子效应器件的输出功率增益大幅度下降.退化机理主要是栅漏区表面及栅边缘俘获负电荷.

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