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[期刊论文] 作者：袁成宇,黄敞,,
来源：农机化研究 年份：2010
传统联合收获机割台的设计需要反复修改,设计周期较长且成本较高。为此,运用Autocad2008三维绘图功能,对联合收获机割台进行三维实体造型,主要对其主要组成部分偏心拨禾轮、...
[会议论文] 作者：武平,石涌泉,黄敞,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[期刊论文] 作者：郭晗,,
来源：卫星应用 年份：2017
航天微电子是航天工程的重要基础和支撑,是发展航天的核心基础技术,买不来也买不到,必须自主发展。我国＂航天之父＂钱学森在中国航天事业初创期就指出,微电子技术将是高速发展的......
[期刊论文] 作者：张兴,石涌泉,黄敞,
来源：电子学报 年份：1995
本文较为详细地介绍了薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺技术的开发过程，薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺主要包括双固相外延，双层胶光刻形成亚微米细线条硅栅、Ｈ２－Ｏ２合成氧化薄栅氧化层以及快速退火等新的工艺技术，利用......
[期刊论文] 作者：张兴,石涌泉,黄敞,
来源：电子学报 年份：1996
开发了适用于薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的集成器件线路模拟软件，该模拟软件采用集成数值模型，将薄膜ＳＯＩ器件的数值模拟与电路模拟有机地结合在一起，实现了薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路......
[期刊论文] 作者：张兴,石涌泉,黄敞,
来源：电子学报 年份：1995
本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方......
[期刊论文] 作者：张兴,石涌泉,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1995
开发了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件ＬＡＤＥＳ－ＩＶ－Ｚ，该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程，从......
[期刊论文] 作者：张兴,石涌泉,黄敞,
来源：半导体技术 年份：1992
本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应,在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺,已成功地研制出了漏电流仅为3pA的NMOS晶体管。...
[期刊论文] 作者：余山,章定康,黄敞,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
采用低能量的砷离子注入和可抑制沟道效应的硅表面预先无定形技术,分别得到了0.13μm N~+/P结和0.17μm P~+/N结,并应用于0.5μm CMOS集成电路的制造。...
[期刊论文] 作者：余山,章定康,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1989
本文对一般的平行板式等离子刻蚀机的电极进行了改进,在改进的刻蚀机上,用CF_4+H_2刻蚀SiO_2,刻蚀速率为700(?)/min,选择性、各向异性均较好。In this paper, the electrod...
[期刊论文] 作者：余山,章定康,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1992
本文研究了重掺杂对两步快速退火（RTA）形成的钛硅化物的影响及形成机理,认为,重掺杂有妨碍TiSi2形成的作用,钛硅化物的形成过程由硅的扩散和硅化物的成核过程组成。...
[期刊论文] 作者：余山,章定康,黄敞,
来源：电子科学学刊 年份：1994
针对实验中发现的亚微米ＬＤＤ结构的特殊的衬底电流现象和退化现象，进行了二维器件数值模拟，解释了ＬＤＤ器件退化的原因，最后提出了ＬＤＤ器件的优化工艺条件。...
[期刊论文] 作者：余山,章定康,黄敞,
来源：半导体学报 年份：1992
本文对 L=0.55μm LDD MOSFET’s的杂质分布及侧墙工艺进行了研究,提出了亚微米 LDD MOSFET’s集成电路的优化工艺设计.In this paper, the impurity distribution of L =...
[期刊论文] 作者：余山,章定康,黄敞,,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
本文对氮化硅侧墙、LPCVD SiO_2侧墙及3层结构多晶硅侧墙工艺进行了研究,并讨论了这些侧墙工艺在集成电路中的应用。...
[期刊论文] 作者：余山,章定康,黄敞,
来源：半导体技术 年份：1994
采用三层胶光刻工艺以及ＳＦ６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工作，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。...
[期刊论文] 作者：陈南翔,王忠烈,黄敞,
来源：半导体学报 年份：1990
本文着重研究了1400℃超高温退火对SIMOX结构的影响,并与常规的高温退火(1100℃)进行了对比。实验结果表明:超高温退火能显著地改善Si-SiO_2界面特性。消除顶部硅层中的氧沉...
[期刊论文] 作者：陈南翔,王忠烈,黄敞,
来源：半导体学报 年份：1990
本文通过卢瑟夫沟道背散射(RBS/Channeling)及透射电子显微镜(TEM)研究了SIMOX结构的低、高温两步退火形成。实验结果表明:通过两步退火可以获得顶部硅层中无氧沉淀缺陷的、...
[期刊论文] 作者：余山,章定康,黄敞,
来源：半导体技术 年份：1994
由于亚微米器件的短沟道效应，引起器件的阈值电压下降。本文的研究表明，对器件的沟道采取多次杂注入掺杂技术，可有效地克服短沟道效应与热载流子效应，即使在沟道长度为０．５μｍ时，器件仍......
[期刊论文] 作者：陈南翔,王忠烈,黄敞,
来源：微细加工技术 年份：1991
本文研究了低温(550℃)退火对于SIMOX结构形成的影响。实验中发现:低温退火制备的SIMOX结构与高温(1100℃)退火制备的有明显不同。通过低温退火,可以获得质量优于高温退火的...
[期刊论文] 作者：余山,章定康,黄敞,
来源：电子学报 年份：1994
本文对两步快速热退火形成ＴｉＳｉ２的工艺及其工艺的兼容性、ＴｉＳｉ２的物理化学物性进行了研究，结合ＬＤＤ结构，形成了两步快速热退火亚微米自对准硅化钛ＣＭＯＳ工艺，并应用于集成电路的制造，改善了电路性能。......
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