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本文对氮化硅侧墙、LPCVD SiO_2侧墙及3层结构多晶硅侧墙工艺进行了研究,并讨论了这些侧墙工艺在集成电路中的应用。
侧墙工艺研究及其在集成电路中的应用
【摘 要】
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本文对氮化硅侧墙、LPCVD SiO_2侧墙及3层结构多晶硅侧墙工艺进行了研究,并讨论了这些侧墙工艺在集成电路中的应用。
【机 构】
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航空航天部骊山微电子学研究所,航空航天部骊山微电子学研究所陕西临潼710600,陕西临潼710600
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1993年2期
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