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[会议论文] 作者：顾溢,,
来源： 年份：2004
该篇文章对我厂二期#3、#4机组高低压加热器水位调整前后的端差变化进行了比较,并对机组煤耗的贡献进行了分析,同时也对调整后部分加热器下端差与设计值仍存在一定差距的现状...
[期刊论文] 作者：顾溢,,
来源：热力发电 年份：2011
介绍了华能上海石洞口第二电厂超超临界660 MW机组汽轮机的特点和性能优势,并对发电机转子、轴封蒸汽温度、补汽阀、高压缸效率等存在的问题提出了优化建议。...
[期刊论文] 作者：顾溢,,
来源：热力发电 年份：2011
华能上海石洞口第二电厂超超临界660 MW机组给水泵汽轮机(小机)为ND(Z)84/79/07型变转速凝汽式汽轮机,采用弹簧基座,可满足主机在各种工况运行时对给水的要求。总结了小机的...
[期刊论文] 作者：田招兵,顾溢,张永刚,
来源：红外与毫米波学报 年份：2008
建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型．通过引入收集效率函数，模拟计算了探测器量子效率和光响应．采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典...
[期刊论文] 作者：田招兵,张永刚,李爱珍,顾溢,,
来源：半导体光电 年份：2006
采用气态源分子束外延（GSMBE）生长技术结合常规半导体工艺制成了正进光台面型8元In0．53Ga0．47As／InP光伏探测器阵列，并对其特性进行了测量，结果表明GSMBE生长的材料具有很好的均匀性......
[期刊论文] 作者：田招兵,张永刚,李爱珍,顾溢,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
采用了H3PO4／H2O2系化学腐蚀液对GSMBE外延的InGaAs／InP和InAlAs／InP材料湿法腐蚀特性进行了研究，研究了不同浓度和配比对于腐蚀速率和形貌影响。结果表明该腐蚀液体系具有良好的...
[期刊论文] 作者：郝国强,张永刚,顾溢,李爱珍,朱诚,
来源：红外与毫米波学报 年份：2006
从理论与实验两方面对截止波长为1．7μm（x=0．53），1．9μm（x=0．6）和2．2μm（x=0．7）pin InxGa1-xAs探测器性能进行了研究．对探测器暗电流的研究结果表明，扩展波长In0.6Ga0.4As，In0.7Ga0.3As探测器......
[期刊论文] 作者：郝国强,张永刚,顾溢,刘天东,李爱珍,
来源：功能材料与器件学报 年份：2005
从理论和实验上分析了双异质结In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同的反向偏置电压下暗电流在甚宽温度范围内的温度特性。结果表明:在反向偏置低压与高压段,产生-复合电流与隧...
[期刊论文] 作者：田招兵,张永刚,顾溢,祝向荣,郑燕兰,,
来源：半导体光电 年份：2008
通过对气态源分子柬外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs／InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较，研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均...
[期刊论文] 作者：顾溢,王凯,李成,方祥,曹远迎,张永刚,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2011
利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光...
[期刊论文] 作者：金宇航,黄卫国,张见,王红真,顾溢,贺训军,
来源：红外 年份：2020
短波红外铟镓砷(InGaAs)探测器材料的表面缺陷是发展大规模小像元焦平面阵列的核心问题之一,其中与衬底晶格失配的延伸波长探测器材料的表面缺陷控制起来尤为困难。优化了分...
[期刊论文] 作者：张永刚, 顾溢, 王凯, 李成, 李爱珍, 郑燕兰,,
来源：红外与激光工程 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：张永刚,顾溢,朱诚,郝国强,李爱珍,刘天东,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2006
采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层，研制了波长扩展的InGaAs／InP光伏探测器系列，其室温下的截止波长分别约为1．9μm，2，2μm．和2．5μm．对......
[期刊论文] 作者：张永刚,奚苏萍,周立,顾溢,陈星佑,马英杰,杜奔,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性...
[期刊论文] 作者：师艳辉,杨楠楠,马英杰,顾溢,陈星佑,龚谦,张永刚,
来源：红外与毫米波学报 年份：2019
研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 数字递变异变缓冲层结构( DGMB)的总周期数对2. 6 μm 延伸波长In0. 83Ga0. 17As 光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层...
[期刊论文] 作者：顾溢,李成,王凯,李好斯白音,李耀耀,张永刚,
来源：红外与毫米波学报 年份：2010
利用气态源分子束外延,采用相对较高的1.1%μm-1失配度变化速率,在InAlAs递变缓冲层上生长了晶格失配度高达2.6%的InP基InGaAs变形晶格探测器结构,并与采用相同结构而晶格失...
[期刊论文] 作者：李成,李好斯白音,李耀耀,王凯,顾溢,张永刚,,
来源：半导体光电 年份：2009
模拟分析了三种不同结构的双异质结扩展波长In0.78Ga0.22As PIN光电探测器在室温下的暗电流特性,并与器件的实际测量结果进行了比较和讨论。结果表明,对于扩展波长的探测器,...
[期刊论文] 作者：王凯,张永刚,顾溢,李成,李好斯白音,李耀耀,
来源：红外与毫米波学报 年份：2009
采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长（室温下50%截止波长为2.4μm）InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致...
[期刊论文] 作者：王凯,顾溢,方祥,周立,李成,李好斯白音,张永刚,
来源：红外与毫米波学报 年份：2012
采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系In—AlGaAs材料性质进行了表征。摇摆曲线结果表明，根据计算数据所生长的InAlG...
[期刊论文] 作者：张永刚,周立,顾溢,马英杰,陈星佑,邵秀梅,龚海梅,方家熊,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2015
针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪器函数校正方案和标准探测器传递校正方案;...
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