搜索筛选:
搜索耗时0.1917秒,为你在为你在59,130,000篇论文里面共找到 125 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：徐现刚,黄柏标,任红文,刘士文,蒋民华,
来源：稀有金属：英文版 年份：1994
ＭＯＣＶＤＧｒｏｗｔｈｏｆＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）ＡｓＳｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓＸｕＸｉａｎ＇ｇａｎｇ；ＨｕａｎｇＢａｉｂｉａｏ；ＲｅｎＨｏｎｇｗｅｎ；ＬｉｕＳｈｉｗｅｎａｎｄＪｉａｎｇＭｉｎｈｕａ（徐现刚...
[期刊论文] 作者：徐现刚,,
来源：国际学术动态 年份：2004
第lO届SiC及其相关材料国际会议于2003年10月5～10日在法国里昂国际会议中心召开(http：//ieserm2003．inpg．fr／)，与会代表多达500余人，其中美国和日本各有100余人，其余大部分来自欧洲，山......
[期刊论文] 作者：,
来源：人工晶体学报 年份：2014
山东大学晶体材料重点实验室徐现刚教授等完成的＂大直径...
[期刊论文] 作者：杨亲民,卢利平,,
来源：功能材料信息 年份：2008
徐现刚男,1965年1月出生,山东泰安人,中共党员。1986年7月毕业于山东大学物理专业,获学士学位;1986年9月～1989年7月在山东大学凝聚态物理专业攻读并获硕士学位;1992年7月获山...
[期刊论文] 作者：李明, 徐现刚,,
来源：激光杂志 年份：2017
从工程应用角度论述了安防夜视监控领域激光主动照明技术现状及未来发展趋势,讨论了激光照明安全问题。指出安防LED照明技术受制于其发光效率等物理极限,未来将被激光照明技...
[期刊论文] 作者：程兴奎,黄柏标,
来源：山东电子 年份：1995
ＧａＡｓ量子阱红外探测器的光学性质程兴奎，黄柏标，徐现刚，刘士文，任红文，蒋民华１９８９年，美国贝尔实验室首次用ＭＢＥ制出８－１２μｍ宽带ＧａＡｓ量子阱红外探测器￣［１］，这种器件较ＨｇＣｄＴｅ探测器有许多优点...
[期刊论文] 作者：刘喆,徐现刚,
来源：材料科学与工程学报 年份：2003
本文综述了国际上SiC单晶生长的发展历史及现状。从其结构特点生长方法的选择 ,生长过程中的问题以及存在的晶体缺陷等方面进行了介绍...
[期刊论文] 作者：肖龙飞, 徐现刚,,
来源：强激光与粒子束 年份：2019
碳化硅作为第三代宽禁带半导体的核心材料之一,相对于传统的硅和砷化镓等半导体材料,具有禁带宽度大、载流子饱和迁移速度高,热导率高、临界击穿、场强高等诸多优异的性质。...
[期刊论文] 作者：沈燕,徐现刚,,
来源：齐鲁工业大学学报(自然科学版) 年份：2016
气液固（VLS）生长是一维纳米晶材料生长最常见的方法。通过电子束加热蒸发氧化铟锡薄膜,在缺氧状态下生长出无序纳米晶的表面形态,粗糙度达到了几十至上百纳米。分析其生长机理,......
[期刊论文] 作者：徐现刚,黄伯标,
来源：红外与毫米波学报 年份：1992
报道用金属有机汽相外延技术(MOVPE)生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格结构材料及其光电器件应用,用横断面透射电子显微术(XTEM)表征外延层结构.在自电光效应光学双稳态器件(SEE...
[期刊论文] 作者：马瑾,徐现刚,等,
来源：半导体学报 年份：2002
采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出SnO2:Sb透明导电膜，并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究。制备的样品为多晶薄膜，并且保持了纯二氧化......
[期刊论文] 作者：徐现刚,刘喆,等,
来源：半导体学报 年份：2002
采用金属有机化学气相沉积生长了InP/GaAs0.5Sb0.5/InP双异质结晶体三极管（DHBT）材料，研究了材料质量对器件性能的影响，制备的器件不但具有非常好的直流特性，其结果与能带理论的预......
[期刊论文] 作者：徐现刚,胡小波,
来源：国际学术动态 年份：2002
...
[期刊论文] 作者：白玉俊,徐现刚,等,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2002
通过差示扫描量热技术，研究了热循环对Cu-23.6Zn-4.47Al-0.23Mn-0.17Ni形状记忆合金中双可逆相变的影响，结果表明，X→M转变温度随热循环的进行而降低，而马氏体逆转变的温度几乎不...
[期刊论文] 作者：王翎,刘铎,徐现刚,
来源：信息技术与信息化 年份：2014
介绍了LED及纳米技术，展望LED产业技术的发展趋势和应用领域，并介绍了山东大学在研究新型金属介质结构，大幅提高LED发光效率方面的最新突破。...
[期刊论文] 作者：王翎,徐明升,徐现刚,,
来源：半导体技术 年份：2014
研究了n型碳化硅(SiC)极性表面、载流子浓度和退火温度对欧姆接触的影响,测试了不同样品的电流-电压曲线,并通过传输线方法计算比接触电阻。对于SiC衬底的硅面,GeNiTiAu合金...
[期刊论文] 作者：宋生, 胡小波, 徐现刚,,
来源：人工晶体学报 年份：2012
使用升华法生长碳化硅(SiC)单晶,借助数值模拟方法优化温场,在不同条件下分别获得单一晶型的4H-SiC和6H-SiC单晶,利用拉曼光谱进行表征。采用V掺杂的方法,制备半绝缘SiC单晶,...
[期刊论文] 作者：于果蕾,胡小波,徐现刚,,
来源：人工晶体学报 年份：2015
研究了采用光纤微透镜作为半导体激光器光斑快轴压缩透镜的方法。通过在光纤的两个对称侧弧面镀制增透膜,减少了光纤微透镜对光的反射,其反射率由原来的4%降低到0.3%以下,有...
[期刊论文] 作者：徐明升,胡小波,徐现刚,
来源：人工晶体学报 年份：2014
研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响。采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力。GaN薄膜的高分...
[期刊论文] 作者：刘鑫彤, 胡小波, 徐现刚,,
来源：光学学报 年份：2016
以谷胱甘肽(GSH)为硫源,氯化锌(ZnCl2)为锌源,溴化十六烷基三甲铵(CTAB)为表面活性剂,乙二胺为反应媒介,采用水热法在较低温度(160℃)下成功地合成六方相纤锌矿硫化锌(ZnS)纳...
相关搜索：
