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采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出SnO2:Sb透明导电膜，并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究。制备的样品为多晶薄膜，并且保持了纯二氧化锡的金红石结构。SnO2:Sb薄膜中Sb2O3的最佳掺杂比例为6％。适当调节制备参数，可以获得在可见光范围内平均透过率大于85％的有机衬底SnO2:Sb透明导电薄膜，其电阻率－3．7×10^-3Ω·cm，载流子浓度－1．55×10^20cm^-3,霍耳迁移率－13cm^2·V^-1·s^-