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[期刊论文] 作者：黄继颇,,
来源：中国集成电路 年份：2003
在介绍了MPEG2传输流语法结构的基础上，提出以单FPGA实现MPEG2传输流复用器设计与实现方案，最后给出了仿真结果。...
[学位论文] 作者：黄继颇,
来源：中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 年份：2000
该论文围绕高质量SiC和AlN薄膜的的制备与物理性质的研究,并结合全国自然科学基金项目、上海市启明星计划项目以及与瑞典皇家工学院的国际合作项目的要求,开展了脉冲激光沉积...
[期刊论文] 作者：徐章程,黄继颇,
来源：功能材料与器件学报 年份：1998
利用同步辐射Ｘ射线对Ｃｒ／ＳｉＯ２系统进行了反射率测量。得到了信噪比非常好的反射率曲线，通过对实验数据进行傅立叶变换和最小二乘法拟合得到了Ｃｒ膜的厚度经及Ｃｒ膜与ＳｉＯ２衬底界面的粗糙度。结果表......
[期刊论文] 作者：黄继颇,王连卫,
来源：功能材料 年份：1999
作为具有优异介电性、压电性的宽禁带半导体材料，ＡＩＮ是重要的电子封装材料、绝缘介质材料、声表面波材料和蓝光紫外发光材料。本文介绍了ＡＩＮ材料结构特性、薄膜制备及应用的最新进展......
[期刊论文] 作者：黄继颇,王连卫,
来源：物理 年份：1998
碳化硅作为新一代宽禁带半导体材料，在高温，高频，高功率，抗辐照电子器件中有着十分广阔的潜在应用前景，文章结合作者的工作，综述了离子束技术在ＳｉＣ研究中的应用，其中包括ＳｉＣ的合成，掺杂，器件......
[期刊论文] 作者：黄继颇,王连卫,
来源：压电与声光 年份：1999
ｃ轴取的ＡｌＮ具有优异的压电性和声表面波传输特性，已受到人们日益广泛的重视。文章报道了采用ＫｒＦ脉冲准分子激光沉积工艺，在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备了ｃ轴取向的ＡｌＮ晶态薄膜。Ｘ射拇衍射与傅里叶变换......
[期刊论文] 作者：黄继颇,王连卫,
来源：功能材料与器件学报 年份：1998
用超高真空蒸发Ａｌ膜，结合氮化合处理工艺在Ｓｉ（１００）衬底上制备了ＡｌＮ晶态薄膜，用Ｘ射线衍射，傅立叶变换红外光谱和Ｘ射线光电子能谱等测试分析技术研究了薄膜的微结构特征。结果表明：经过１０００℃分钟氮化......
[期刊论文] 作者：黄继颇,孙承永,
来源：电子元件与材料 年份：1996
对平面磁控溅射薄膜厚度分布提出了一种理论计算模型，编制了磁控溅射薄膜厚度分布模拟软件系统ＭＦＴＤＳ，并用ＭＦＴＤＳ对半球壳形工件内外膜厚分布进行了计算机模拟，在受磁控靶溅蚀区不均匀性影响......
[期刊论文] 作者：王玉霞,黄继颇,
来源：半导体学报 年份：2000
报道用脉冲ＡｒＦ激光烧蚀ＳｉＣ陶瓷靶，在８００℃Ｓｉ（１１１）衬底上淀积ＳｉＣ在再经９２０℃真空（１０＾－３Ｐａ）退火处理，制备出晶态α－ＳｉＣ薄膜，用ＦＴＩＲ，ＸＰＳ、ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＰＬ谱 薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等，结果表明，在９２０℃较......
[期刊论文] 作者：黄继颇,多新中,
来源：电子元器件应用 年份：2000
近来，ＩＢＭ公司利用绝缘层上的硅（ＳＯＩ）技术成功研制出高速低功耗的微电子主流产品微处理器等离性能芯片，该芯片不仅工作速度显著提高，功耗也大幅度下降，充分显现了ＳＯＩ技术的优越性。这也预示着......
[会议论文] 作者：黄继颇,王连卫,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：黄继颇,王连卫,林成鲁,
来源：功能材料 年份：2004
作为具有优异介电性、压电性的宽禁带半导体材料，ＡｌＮ是重要的电子封装材料、绝缘介质材料、声表面波材料和蓝光紫外发光材料。本文介绍了ＡｌＮ材料结构特性、薄膜制备及应用的最新进展......
[会议论文] 作者：符晓荣,黄继颇,多新中,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
采用辉光放电辅助激光沉积法成功地在Ｓｉ（１００）下衬底上低温制备出（２００）取向的ＭｇＯ薄膜。实验表明，辅助以光放电可以明显地提高沉积速率和降低合成温度。同时，用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、原子力显微镜（ＡＦＭ）和透射电镜......
[期刊论文] 作者：杜磊,孙承永,黄继颇,包军林,
来源：电子元件与材料 年份：1995
讨论了混合集成电路热分析的方法，提出用微机进行有限元热分析的实用方法，即模型／子模型方法。并构造了相应的热模型，在此基础上开发了微机有限元ＨＩＣ热分析专用软件，给出了用于ＨＩＣ热分析......
[期刊论文] 作者：杜磊,孙承永,黄继颇,包军林,
来源：电子元件与材料 年份：1995
在对混合集成电路热特性分析和提出的模型／子模型基础上，开发了微机有限元ＨＩＣ热分析专用软件。应用所开发的软件对典型的ＨＩＣ进行了热分析，得到温度场分布。与热像仪实测结果对比，证实了......
[期刊论文] 作者：王连卫,黄继颇,林成鲁,郑玉祥,
来源：功能材料与器件学报 年份：1999
ＳｉＣ是一种重要的宽禁带半导体材料，在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。ＳｉＣ中的离 入无论在基础研究还是在顺件工艺中都具有重要意义。本文研究了ＳｉＣ的注入（７０ｋｅＶ，剂量５......
[期刊论文] 作者：刘彦松,王连卫,黄继颇,林成鲁,
来源：压电与声光 年份：2000
采用脉冲激光淀积 (PL D)技术 ,利用 Zn O作为缓冲层 ,在 Si(10 0 )衬底上生长出 Al N薄膜。X-射线衍射图谱表明 ,该 Al N薄膜具有 c轴取向特性。X-光电子能谱测试表明 ,要获...
[期刊论文] 作者：孙一军，孙承永，刘秦，杜磊，黄继颇,
来源：电子元件与材料 年份：
根据薄膜多层混合电路的特点，以控制信号发生器为例，讨论了薄膜多层混合电路的计算机辅助布图设计。在２６ｍｍ×３６ｍｍ的陶瓷基片上，完成了薄膜四层布线的布图设计，布通率达到１００％，寄生电感和寄生电容分别为５２．５μＨ和２．３２５ｆＦ。......
[期刊论文] 作者：刘彦松,王连卫,李伟群,黄继颇,林成鲁,
来源：功能材料 年份：2001
采用脉冲激光淀积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上淀积了ZnO薄膜.XRD、TEM和AFM分析表明,淀积的ZnO薄膜具有良好的c轴取向性和表面平整度.通过改变淀积气氛或在纯氧中高温退火,Zn...
[会议论文] 作者：刘彦松,黄继颇,林成鲁,王连卫,李伟群,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
利用脉冲激光淀积（ＰＬＤ）在Ｓｉ（１００）衬底上制备了ＺｎＯ薄膜，ＸＲＤ表明，在１００℃～４００℃温度范围内制备的ＺｎＯ薄膜是高度Ｃ轴择优取向的，ＴＥＭ表明，ＺｎＯ薄膜的生长机制以柱状生长为主。......
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