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[期刊论文] 作者：甘学温, 莫邦燹,,
来源：微电子学 年份：2000
分析了 ＣＭＯＳ逻辑电路的功耗来源，从降低电源电压、减小负载电容和逻辑电路开关活动几率等方面论述了降低功耗的途径。讨论了深亚微米器件中亚阈值电流对功耗的影响以及减小亚阈值......
[期刊论文] 作者：陈江华,倪学文,莫邦燹,
来源：北京大学学报：自然科学版 年份：2008
介绍了一种基于CSMC 0.5-μm 2P3M n-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源。该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和与温度无关的电流,提供了一种对基极-发射极...
[期刊论文] 作者：莫邦燹,倪学文,宁宝俊,
来源：微电子学 年份：2000
介绍了一种超高速 51 2 /2 56分频器电路的设计 ,其基本结构采用静态主从 D触发器。电路采用先进的单层多晶硅发射极双极工艺制造 ,使用 3μm设计规则 ,电路的最高工作频率达...
[期刊论文] 作者：朱晖,倪学文,莫邦燹,项斌,
来源：微电子学 年份：2005
研究了一种用于微机械加速度计的CMOS时钟产生电路.该电路可以方便地实现片内时钟的精确产生,集成了具有高电源抑制比的基准电压源,振荡频率可根据需要调节.实际电路采用1.2...
[期刊论文] 作者：甘学温,霍宗亮,莫邦燹,
来源：世界科技研究与发展 年份：2000
本文从工艺技术、单元结构、单元阵列及电路设计方面讨论了吉位规模DRAM的发展和面临的挑战 ;并展望了嵌入式DRAM的发展In this paper, we discuss the development and ch...
[期刊论文] 作者：莫邦燹,项斌,陈江华,倪学文,
来源：半导体学报 年份：2006
讨论了一种连续时间低通滤波器的电路结构和基本原理,介绍了调整连续时间滤波器通带频率的方法.对电路进行了计算机模拟,模拟结果和理论计算基本一致.电路采用1.2μm双层多晶...
[期刊论文] 作者：项斌,倪学文,莫邦燹,吕志军,
来源：微电子学 年份：2003
介绍了一种带宽可调的二阶低通开关电容滤波器,带宽调节范围为100～500 Hz,调节精度约为100 Hz.该滤波器用双层金属、双层多晶硅1.2 μm的N阱MOS工艺实现,用于一个加速度传感器...
[期刊论文] 作者：吕志军,倪学文,莫邦燹,项斌,
来源：北京大学学报(自然科学版) 年份：2004
设计了一种主要用于微传感器读出电路的输出缓冲放大器。该电路被设计为恒定跨导、Rail-to-Rail的结构，同时还具有输出共模范围大(0～5V)、输出电阻小、电路结构紧凑、非线性失...
[期刊论文] 作者：吕志军,倪学文,莫邦燹,项斌,
来源：微电子学 年份：2003
采用基于开关电容技术的CMOS电路,实现差分式电容微传感器的信号读出;阐述了这种电路结构的工作原理;分析了噪声特性,并提出了减小噪声的措施.分析了各晶体管尺寸对热噪声和1...
[期刊论文] 作者：陈江华,项斌,莫邦燹,王展飞,倪学文,,
来源：北京大学学报(自然科学版) 年份：2008
提出了一种适于MEMS电容加速度计读出电路带宽可调的低通滤波器,带宽调节范围为100～8000kHz。信号频率低于500Hz时选用开关电容低通滤波器,高于500Hz的信号则由连续时间低通滤...
[期刊论文] 作者：金海岩,高玉芝,冯国进,莫邦燹,张利春,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
给出了E-B之间复合介质L型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易，成品率高，均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中，器件具有良好的电学特性...
[期刊论文] 作者：字宝俊,莫邦燹,倪学文,张利春,张广勤,
来源：测试技术学报 年份：2002
介绍了由先进的多晶硅发射极NPN晶体管和高速ECL100E141电路单元构成的一块专用高速移位寄存器阵列的设计和主要参数的测量.提出一种移位寄存器最高工作频率的测量方法.该方...
[期刊论文] 作者：莫邦燹,倪学文,项斌,朱晖,宁宝俊,张广勤,
来源：测试技术学报 年份：2004
本文首先介绍了一种MEMS电容式微硅加速度计的结构和等效电路,阐述了开关电容放大器的工作原理和输出电压与电容的关系,重点讨论了用开关电容技术测量微硅加速度计小电容的方...
[期刊论文] 作者：倪学文，莫邦燹，项斌，吕志军，朱晖，宁宝俊，张录，郝一龙，金,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：叶红飞,高玉芝,金海岩,罗葵,宁宝俊,莫邦燹,张广勤,张利春,
来源：半导体学报 年份：2001
研究了掺磷双层多晶硅 RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性 .在工艺中采用自对准双极结构 ,生长一层 RCA超薄氧化层 ,并用快速热退火处理 RCA氧化层 .研制的多晶硅发射区 R...
[期刊论文] 作者：贾霖,倪学文,莫邦燹,关旭东,张录,宁宝俊,韩汝琦,李永康,周均铭,
来源：北京大学学报(自然科学版) 年份：2001
利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合，研制成适于集成的平面结构、发射结面积为3?μm×8?μm的SiGe异质结双极晶体管(HBT)。室温下该晶体管的直流电流增...
[期刊论文] 作者：倪学文,莫邦燹,项斌,吕志军,朱晖,宁宝俊,张录,郝一龙,金玉丰,田玉国,
来源：测试技术学报 年份：2004
本文报道了一个为电容式微加速度计传感器信号处理而设计的全集成化的BD031 CMOS MEM信号处理电路.电路设计采用了对信号的差分电容采样方式和过采样技术、前置采样放大器高...
[期刊论文] 作者：张利春,高玉芝,金海岩,倪学文,莫邦燹,宁宝俊,罗葵,叶红飞,赵宝瑛,张广勤,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究．这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进，主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的......
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