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报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究．这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进，主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的L型侧墙形成技术方面，它有效地减小了器件的基区面积．测试结果表明，晶体管有良好的交直流特性．在发射区面积为3μm×8μm时，晶体管的截止频率为6.1GHz．19级环振平均门延迟小于40ps，硅微波静态二分频器的工作频率为3.2GHz．