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[会议论文] 作者：江忠永,张昊翔,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
本文阐述了LED芯片的制造技术，包括红、绿、蓝三基色发光二极管的外延生长以及芯片制造的过程，同时还就如何提高芯片的发光效率进行了讨论。...
[会议论文] 作者：江忠永, 李书文, 张昊翔,,
来源： 年份：2012
通过干法刻蚀和湿法腐蚀制备出两种图形化蓝宝石衬底。从干法刻蚀和湿法腐蚀制备图形化蓝宝石衬底形成机理,制程以及芯片工艺的角度分析比较了两种图形化蓝宝石衬底对GaN基LE...
[会议论文] 作者：丛宏林,江忠永,张昊翔,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
GaN是一种新型宽禁带材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点。非常适合于制作高频、大功率器件。本文介绍了GaN材料的物理化学特性，比较了硅基功率器件与碳化镓......
[期刊论文] 作者：方敏,丛宏林,江忠永,黄靖云,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2012
以CuO、Cu、Al2O3和NaOH粉末作为反应原料,通过水热法制备了CuAlO2粉末。用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS),红外光谱对产物进行表征。XRD和SEM分...
[期刊论文] 作者：王钰萍,叶春丽,吕建国,丛宏林,江忠永,叶志镇,
来源：材料科学与工程学报 年份：2012
本文采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了AZO／Cu、Cu／AZO和AZO／Cu／AZO三种复合结构多层膜，研究了生长温度对多层膜特性的影响，发现AZO／Cu双层薄膜具有最优的光电性能，其最佳生长......
[期刊论文] 作者：包琦龙,丛宏林,徐小明,江忠永,张昊翔,罗军,赵超,,
来源：半导体技术 年份：2013
为实现在100mm直径硅衬底上金属有机物化学气相外延（MOCVD）生长无裂纹GaN，系统研究了预铺铝时间参数对A1N成核质量的影响、不同厚度条件下AIN层对GaN生长的影响以及A1组分渐变的...
[期刊论文] 作者：江忠永,丛宏林,徐小明,包琦龙,张昊翔,罗军,赵超,,
来源：半导体技术 年份：2013
介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对AlN层的表面形貌和晶...
[期刊论文] 作者：丛宏林, 徐小明, 江忠永, 金豫浙, 封飞飞, 万远涛, 张昊,
来源：半导体光电 年份：2013
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[期刊论文] 作者：丛宏林,徐小明,江忠永,金豫浙,封飞飞,万远涛,张昊翔,,
来源：半导体光电 年份：2013
研究了AZO(ZnO∶Al)替代ITO透明导电膜在GaN基LED中的应用,通过脉冲激光沉积和磁控溅射法制作了AZO薄膜,分析了AZO与p型GaN不良的欧姆接触的物理机理,并利用插入ITO薄层来改...
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