搜索筛选:
搜索耗时0.0310秒,为你在为你在61,042,058篇论文里面共找到 4 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：曾天亮,江志庚,
来源：半导体学报 年份：1986
在研制和生产硅栅MOS型（NMOS和CMOS）LSI时,用化学汽相沉积的硼磷硅玻璃（CVD BPSG）膜取代常规的磷硅玻璃（PSG）膜作回流介质层,可将回流温度降低到1000℃以下,达到800—950℃之间,因...
[期刊论文] 作者：曾天亮,陈平,江志庚,李志彭,,
来源：微电子学与计算机 年份：1989
本文介绍BPSG膜的沉积、性质及采用BPSG膜作回流介质层和表面钝化层.实验结果证明,在提高器件的可靠性、稳定性和成品率等方面BPSG膜均优于PSG膜....
[期刊论文] 作者：曾天亮,陈平,江志庚,李志彭,
来源：半导体学报 年份：1992
我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON（等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅）膜作金属层之间的绝缘层.这种薄膜具有很小的压应力,很低的针孔密度,...
[期刊论文] 作者：祖继锋,耿完桢,洪晶,余宽豪,江志庚,李志彭,陈学良,
来源：光学学报 年份：1995
研究了等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氢氧化硅（ＳｉＯＮ）薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）光互连中的潜在应用。...
相关搜索：
