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[期刊论文] 作者：袁凤坡,尹甲运,刘波,梁栋,冯志宏,,
来源：半导体技术 年份：2008
为了解决材料的界面平整度，改善材料的晶体质量，在Ⅲ-Ⅴ族氮化物（InGaN）材料的生长过程中，加入了Al掺杂剂。实验发现，InGaN材料的双晶衍射半宽从533arcsec（非掺Al）下降到399arcsec（轻......
[期刊论文] 作者：邢东,冯志红,王晶晶,刘波,尹甲运,房玉龙,,
来源：半导体技术 年份：2013
介绍了In0.17Al0.83N在质量分数10%的四甲基氢氧化铵(TMAH)碱性溶液中的腐蚀行为实验研究。通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察腐蚀样品,发现其腐蚀机理是起源...
[会议论文] 作者：刘波,张森,尹甲运,冯志宏,蔡树军,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议 年份：2010
由于采用晶格匹配AlInN/AlN/GaN/AlN/GaN双沟道异质结结构设计，异质结同时具有了高电子迁移率和低面电阻的双重特性。笔者研究发现在AlInN/AlN/GaN中沟道中二维电子气(2DEG)的迁移率随着沟道中面电子浓度增加而降低，即过高浓度的2DEG限制电子迁移率的提高。而对于......
[会议论文] 作者：尹甲运,刘波,袁凤坡,梁栋,冯志宏,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
采用MOCVD设备在Si(111)衬底上分别生长了三个不同结构的样品:样品a直接生长1μm厚的GaN;样品b在1.2μm厚GaN中插入一AlN薄层;样品c在2μm厚GaN中间隔插入两AlN薄层,然后对样品进行了拉曼和光荧光测试分析。结果表明,随着插入层数的增加,GaN材料的E-high峰位逐......
[期刊论文] 作者：梁栋,袁凤坡,张宝顺,尹甲运,刘波,冯志宏,,
来源：半导体技术 年份：2007
采用低温和高温AlN复合缓冲层的方法在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN／AlN结构，并进行了应变分析。通过x射线双晶衍射叫．2臼扫描曲线和拟合曲线分析发现，AlN是由两个不同弛豫度的应变......
[期刊论文] 作者：尹甲运,房玉龙,盛百城,蔡树军,冯志红,,
来源：微纳电子技术 年份：2013
使用金属有机气相沉积(MOCVD)设备在4英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘SiC衬底上进行了GaN HEMT结构材料的生长。GaN外延材料(002)和(102)面X射线摇摆曲线半高宽分别为166和238 arc...
[会议论文] 作者：刘波,冯志红,敦少博,尹甲运,蔡树军,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[会议论文] 作者：刘波,尹甲运,李佳,冯志宏,冯震,蔡树军,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法外延生长了InAlN/GaN异质结材料,研究了In组分与生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ比的关系,外延生长出无应变的17％In组分InAlN材料。...
[期刊论文] 作者：尹甲运,刘波,张森,冯志宏,冯震,蔡树军,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
对Si（111）衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究。通过喇曼散射谱在高频E2（TO）模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2（TO）峰位......
[期刊论文] 作者：袁凤坡,梁栋,尹甲运,许敏,刘波,冯志宏,,
来源：半导体技术 年份：2007
通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺，获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层．同时通过优化AlGaN／GaN异质结材料中AlN插入层的厚度，获得了性能优良的AlGaN／GaN HEMT材料。...
[期刊论文] 作者：王丽,房玉龙,尹甲运,敦少博,刘波,冯志红,,
来源：半导体技术 年份：2012
在3英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法生长GaN外延材料。研究了AlN缓冲层的应变状态对GaN外延层应变状态和质量的影响。使用原子力显微镜和...
[会议论文] 作者：张森,尹甲运,刘波,冯志宏,冯震,蔡树军,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
我们采用多模式的MOCVD生长方法在蓝宝石衬底上成功的制备了高质量的AlN薄膜。在材料外延过程中,采用了渐变模式、正常模式和脉冲模式相结合的生长方法。通过XRD和AFM手段,研究了多模式生长过程中初始TMA流量变化对AlN薄膜的影响。我们发现采用渐变模式的样品与......
[期刊论文] 作者：刘波,袁凤坡,尹甲运,盛百城,房玉龙,冯志红,,
来源：半导体技术 年份：2012
采用金属有机气相外延(MOCVD)方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGaN材料。通过优化AlN和AlGaN材料的生长温度、生长压力和Ⅴ族元素/Ⅲ族元素物质的量比(nⅤ/...
[期刊论文] 作者：刘波,袁凤坡,尹甲运,刘英斌,冯震,冯志宏,
来源：微纳电子技术 年份：2008
报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高...
[期刊论文] 作者：许敏,袁凤坡,陈国鹰,李冬梅,尹甲运,冯志宏,,
来源：半导体技术 年份：2007
利用范德堡Hall方法和汞探针C—V方法，研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN／GaN HEMT材料电学性质的影响。发现Si掺杂可以改善材料电学性能，二维电子气（2DEG）面密度和方块电阻（ns×......
[期刊论文] 作者：尹甲运,刘波,王晶晶,周瑞,李佳,敦少博,冯志红,,
来源：微纳电子技术 年份：2010
通过改变AlN形核层的生长温度分别在Si(111)衬底上生长了两个GaN样品,并对GaN外延材料表面的六角形缺陷进行了分析研究。通过显微镜和扫描电镜(SEM)观测发现,AlN形核层在高温...
[会议论文] 作者：袁凤坡,梁栋,尹甲运,刘波,刘英斌,冯志宏,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
通过优化蓝宝石衬底上AlN、AlGaN材料的生长温度、Ⅴ/Ⅲ、生长压力等工艺条件,得到了高质量的AlN、AlGaN材料,AlN双晶衍射(002)和(102)ω扫描半宽分别为870弧秒和118弧秒,AlG...
Extrinsic and intrinsic causes of the electrical degradation of AlGaN/GaN high electron mobility tra
[期刊论文] 作者：房玉龙,敦少博,刘波,尹甲运,蔡树军,冯志红,,
来源：半导体学报 年份：2012
Electrical stress experiments under different bias configurations for AlGaN/GaN high electron mobility transistors were performed and analyzed.The electric fiel...
[期刊论文] 作者：冯志红,谢圣银,周瑞,尹甲运,周伟,蔡树军,,
来源：半导体学报 年份：2010
An enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT with a threshold voltage of 0.35 V was fabricated by fluorine plasma treatment.The enhancement-mode device demonstrates high-...
[期刊论文] 作者：袁凤坡,刘波,尹甲运,王波,王静辉,唐景庭,,
来源：半导体技术 年份：2016
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅(111)衬底上,使用复合Al GaN插入层技术,成功生长出了厚度为4μm无裂纹的GaN基外延层,并在此基础上生长了...
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