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[期刊论文] 作者：邱凯,尹志军,谢自力,方小华,王向武,将朝晖,陈建炉,
来源：电子器件 年份：2001
我们对PHEMT材料中应变沟道InGaAs层生长条件进行了优化,并采用了LT-GaAs中缺陷扩散的阻挡层.功率PHEMT器件结果为在栅长Lg=1.0μ时,跨导g-m≥400 ms/mm,BV-{DS}>1 5V,BV-{GS...
[期刊论文] 作者：邱凯,尹志军,谢自力,方小华,王向武,将朝晖,陈建炉,
来源：电子器件 年份：2001
我们对 PHEMT材料中应变沟道 In Ga As层生长条件进行了优化 ,并采用了 LT-Ga As中缺陷扩散的阻挡层。功率 PHEMT器件结果为在栅长 Lg=1 .0 μ时 ,跨导 gm≥ 4 0 0ms/ mm,BVD...
[会议论文] 作者：邱凯,尹志军,谢自力,方小华,王向武,将朝晖,陈建炉,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
GaAs是PHEMT材料的有源区是由应变InGaAs层构成,其沟道中电子的平均饱和速度和电子浓度均随铟组份的变化而变化,然后,随着铟组份的提高,会引起器件性能的退化.本文使用LT-GaAs层作为器件的缓冲层,并且优化了应变InGaAs沟道的生长条件,生长出性能良好的PHEMT材料......
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