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[期刊论文] 作者:史衍丽,, 来源:科学 年份:2013
红外材料和器件的发展决定了红外技术的发展水平。实现高性能和低成本的红外探测器技术,既是红外技术自身发展的必然,也是一个国家现代化军事和国民经济发展的需求。红外...
[期刊论文] 作者:史衍丽,, 来源:红外技术 年份:2013
随着军事应用对高性能、低成本红外技术的需求,红外探测器像元数目从少于100元的一代发展到10万元中等规模的二代,到百万像素的三代,何谓第三代?在众多的材料和器件中,可作为...
[期刊论文] 作者:史衍丽,, 来源:红外与激光工程 年份:2008
采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30μm,像元光敏面28μm×28μm,两像元间...
[期刊论文] 作者:史衍丽,, 来源:红外技术 年份:2011
以多色、大面阵、高性能、低成本为特征的第三代红外探测器是当前红外探测器的发展方向及目标。InAs/GaInSbⅡ类超晶格探测器因为独特的断代能带结构以及自身存在的材料和器...
[期刊论文] 作者:史衍丽,, 来源:红外技术 年份:2006
如何提高碲镉汞焦平面探测器的制备工艺,降低暗电流直接关系到探测器的噪声和灵敏度。本文对所研制的垂直结碲镉汞光伏探测器在工作条件下的暗电流大小和构成机制进行了模拟分......
[期刊论文] 作者:史衍丽, 来源:红外技术 年份:2005
以GaAs/AlGaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ量子阱红外焦平面探测器因其成熟的材料生长和器件工艺技术,一直是与传统的HgCdTe红外探测器并驾齐驱的红外探测器。近十年来随着对器件结构、机...
[期刊论文] 作者:史衍丽, 来源:红外技术 年份:2011
以多色、大面阵、高性能、低成本为特征的第三代红外探测器是当前红外探测器的发展方向及目标。InAs/GaInSbII类超晶格探测器因为独特的断代能带结构以及自身存在的材料和器件...
[会议论文] 作者:史衍丽, 来源:首届云南省科协学术年会 年份:2011
红外技术对高性能、低成本红外探测器的应用需求,决定了对高品质的红外探测材料及其器件不断的追求、探索与发展。量子阱低维红外探测器其材料生长技术成熟,器件性能优越,产业化......
[会议论文] 作者:史衍丽, 来源:2008年中国国际光电周 年份:2008
Ⅲ-V量子阱焦平面探测器基于成熟的Ⅲ-V材料生长和器件制备技术,具有材料均匀性好、器件均匀性好、可操作像元高、产量高、成本低的生产优势。另外光谱响应带宽窄,不同波段之间......
[期刊论文] 作者:史衍丽,尹洁, 来源:红外与毫米波学报 年份:2000
提出一种新型GaAs/GaAlAs子带间吸收的红外光电导探测机昨MOCVD系统进行器件材料的生长,研制了200μm×200μm的合同面形式单管,测到了明显的红外光电流信号及阱间共振遂穿效应造成的负阻震荡现象,对......
[期刊论文] 作者:史衍丽,尹洁,等, 来源:半导体学报 年份:2001
对基于GaAs/AIGaAs系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器,采用Poisson方程和Schrodinger方程,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性,在此基础上采用热离子发射、热辅助...
[期刊论文] 作者:史衍丽,曾戈虹, 来源:红外技术 年份:1996
采用含水硫化的方法对p型HgCdTe材料进行了表面钝化。XPS分析结果表明,Hg0.734Cd0.266Te表面形成了CdS薄膜,膜层里含有少量的Te和Hg不含氧。......
[期刊论文] 作者:吴令安,史衍丽, 来源:物理 年份:2005
国际纯粹与应用物理联合会(International Union of Pure and Applied Physics,IUPAP)于2005年5月22日至25日在巴西里约热内卢召开了第二届IUPAP女性物理工作者国际会议(2^nd...
[期刊论文] 作者:杨晓云,史衍丽, 来源:化学物理学报 年份:1997
通过电子能谱仪对经阳极氧化表面钝化工艺处理的的HgCdTe表面所生成的氧化膜有界面进行深度分析研究,结果表明,该氧化膜中Te和Cd的单质成分存在,氧化膜中的氧化物形式为TeO2,CdTe2O5和HgTe2O5;在界面中,随着剖析......
[会议论文] 作者:史衍丽,张若岚, 来源:2011全国光电子与量子电子学技术大会 年份:2011
  首先介绍了当前国外第三代红外探测器的发展现状,包括探测器材料、器件种类以及相关的器件性能,在此基础上对探测器的发展趋势进行了分析,提出了在国内红外探测器未来的发展......
[期刊论文] 作者:王忆锋,史衍丽,马钰,, 来源:红外 年份:2012
红外探测系统包括用于点源目标的探索系统和用于扩展源目标的热成像系统。作为一个系统级的性能描述参数,作用距离可用于表征探测过程的质量。探测器作用距离方程取决于目标...
[期刊论文] 作者:何波, 史衍丽, 徐静,, 来源:红外 年份:2006
全面地介绍了pn结C—V测量法的基本原理、测试设备及条件。利用pn结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式及突变结和线性缓变结的1/C^2-V和1/C^3-V关...
[期刊论文] 作者:王忆锋,史衍丽,马钰,, 来源:红外 年份:2012
红外探测系统包括用于点源目标的探索系统和用于扩展源目标的热成像系统。作为一个系统级的性能描述参数,作用距离可用于表征探测过程的质量。探测器作用距离方程取决于目标...
[期刊论文] 作者:何波,史衍丽,徐静, 来源:红外 年份:2006
介绍了HgCdTeMIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤。利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导了衬底杂质浓度随深度分布的计算公式。...
[期刊论文] 作者:何波,史衍丽,徐静,, 来源:红外 年份:2007
介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTeMIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤。研究表明,自身阳极硫化+单层ZnS对HgCdTe的表面钝化已经达到光伏焦平面器件表面钝化...
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