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对基于GaAs/AIGaAs系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器，采用Poisson方程和Schrodinger方程，计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性，在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟，计算结果与器件实测的暗电流特性吻合得很好，说明热离子发射、热辅助遂穿机制是形成器件暗电流主要构成机制，增加垒高、降低阱中掺杂浓度及降低工作温度是抑制器件暗电流的主要途径。计算结果对进一步优化器件的设计将起到重要的理论指导作用。