HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(下)

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介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTeMIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤。研究表明,自身阳极硫化+单层ZnS对HgCdTe的表面钝化已经达到光伏焦平面器件表面钝化的各项要求。
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