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[期刊论文] 作者：鲁效明,
来源：计量技术 年份：2002
本文简述了两种四探针方法测量硅单晶样片边缘电阻率的优缺点 ,及测量结果的比较 ,突出了双电测四探针方法的测量优点...
[期刊论文] 作者：鲁效明,
来源：计量技术 年份：1994
本文主要介绍了三种测量薄片电阻率的方法及其测量结果的差别，并探讨了产生不同测量结果的根源。...
[期刊论文] 作者：鲁效明,,
来源：计量技术 年份：1992
本文通过大量的实验证实掺杂半导体硅材料的光电效应和热效应对电阻率的影响,并指出为提高电阻率的测量准确度应采取一些必要的措施。...
[期刊论文] 作者：鲁效明,,
来源：计量技术 年份：1985
国内所用的四探针测试仪目前尚无统一的检定方法,因此在使用时,对仪器本身及误差大小不甚了解,这就对如何校验这类仪器提出了新的问题。国内虽然也制定了硅单晶片电阻率...
[期刊论文] 作者：鲁效明,,
来源：计量技术 年份：1989
一、半导体材料电阻率的测量目前对半导体材料的电阻率测量有接触式测量法和非接触式测量法。而接触式测量法包括二探针法、三探针法、四探针法、六探针法、范德堡法等...
[期刊论文] 作者：鲁效明,,
来源：计量技术 年份：1986
前言在半导体材料和集成电路的测试工作中,广泛地采用探针技术,即运用金属探针与半导体表面的接触来了解半导体材料或器件某些参数特性。但是,目前还没有较完整的金属与半导...
[期刊论文] 作者：宿昌厚,鲁效明,
来源：计量技术 年份：2005
论述了用四探针法测量半导体片电阻率时,怎样更好地进行厚度修正,结果才更准确。首先讲述经典四探针法中从厚块原理出发和从薄层原理出发测试体电阻率的原理及其分界点,再论...
[期刊论文] 作者：宿昌厚,鲁效明,
来源：计量技术 年份：2004
简述了经典四探针法与双电测组合探法测量电阻率的优缺点 ,重点对双电测组合四探针法测量半导体电阻率的测准条件进行了阐述。并分别对不同形状的半导体材料如何测量进行了讨...
[期刊论文] 作者：鲁效明, 宿昌厚,,
来源：微电子学 年份：2004
本文研究用双位组合四探针测量硅材料薄片电阻率的新技术，提出新的计算公式和厚度修正原理。用双位组合法测量不同厚度硅样品所得结果与常规四探针法测得的结果相比较表明，用双......
[期刊论文] 作者：鲁效明,宿昌厚,
来源：微电子学 年份：1994
本文研究用双位组合四探针测量硅材料薄片电阻率的新技术，提出新的计算公式和厚度修正原理。用双位组合法测量不同厚度硅样品所得结果与常规四探针法测得的结果相比较表明，用双......
[期刊论文] 作者：宿昌厚,鲁效明,
来源：半导体学报 年份：2003
对双电测组合四探针法测试方块电阻（Rs）和体电阻率（ρ）进行了研究，从理论和实践上揭示三种组合模式的共同优点；测量结果与探针间距无关，可使用不等距探针头；具有自动修正边界影响的功......
[会议论文] 作者：鲁效明,宿昌厚,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
该文概述了双电测法的三种组合模式，简要说明了三种组合模式测量电阻率时与材料厚度的关系；并对第一种组合模式（Ｐｅｒｌｏｆｆ法）测量电阻率的演变过程作了具体介绍。...
[会议论文] 作者：鲁效明,宿昌厚,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
该文简单介绍了双电测方法测量大尺寸（包括棒状）硅材料样品是阻率的初步结果。这是双电测方法在测量薄片电阻率取得成功后，首次在这蚊面进行的测量探讨。这种方法对探针间距没有......
[会议论文] 作者：鲁效明,宿昌厚,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[会议论文] 作者：宿昌厚,鲁效明,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
...
[会议论文] 作者：鲁效明,宿昌厚,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
...
[会议论文] 作者：鲁效明,宿昌厚,
来源：中国计量测试学会计量仪器专业委员会’95年会 年份：1995
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[会议论文] 作者：宿昌厚[1]鲁效明[2],
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
经典四探针法测试电阻率,在半导体材料、微电子硅芯片和各类半导体膜、导电膜等的研究与生产中发挥了很大作用,是一个广泛使用的检测手段.长时间以来它限于IV单一方式,要求使...
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